STTH110A
STTH110A参数
| 反向恢复时间（trr） | 75ns | 直流反向耐压（Vr） | 1kV |
| 平均整流电流（Io） | 1A | 正向压降（Vf） | 1.7V @ 1A |
| 二极管类型 | 标准 | 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 1000V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1A | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.7V @ 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） | 反向恢复时间 (trr) | 75ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10µA @ 1000V | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | DO-214AC，SMA | 供应商器件封装 | SMA（DO-214AC） |
| 工作温度 - 结 | 175°C（最大） |
STTH110A手册
STTH110A概述
STTH110A 快恢复二极管产品概述
概述
STTH110A是一款高性能的快恢复二极管，特别设计用于需要高效率与快速恢复特性的应用。该器件由意法半导体（STMicroelectronics）制造，具有优异的电气性能和可靠性，适用于各种电源管理和整流应用。这种二极管的关键参数使得它成为开关电源、反向保护和高频开关电路中不可或缺的组件。
主要特性
反向恢复时间（trr）: STTH110A的反向恢复时间为75纳秒，适合快速开关应用。快速恢复特性可以有效减少开关损耗，提高电源电路的效率。
直流反向耐压（Vr）: 本产品的最大直流反向耐压高达1000伏（1kV），提供出色的电气绝缘性和可靠性，能有效抵御高电压环境，对电路的安全性提供保障。
平均整流电流（Io）: STTH110A能够承受高达1安培的平均整流电流，适合多种负载条件，保证在所需电流范围内稳定工作。
正向压降（Vf）: 在1安培的条件下，其正向压降为1.7伏。相对较低的正向压降有助于降低功耗，提高系统效率。
反向泄漏电流: 在1000伏的电压下，反向泄漏电流只有10微安（µA），这进一步增强了其在高电压环境中的安全性和可靠性。
安装类型与封装: STTH110A采用SMA（DO-214AC）封装，这种表面贴装型设计方便了在各种电路板上的应用，并减小了空间占用。
工作温度范围: 该器件的结温最高可达175°C，适合高温环境下的运用，满足现代电子设备的设计需求。
应用领域
STTH110A广泛应用于多种电子和电气系统，包括：
- 开关电源: 快速恢复特性使其在PWM控制的开关电源中表现优异，有效提升变换效率。
- 高频开关电路: 适应较高的开关频率，降低开关损耗，提升整体的电流传输效率。
- 整流电路: 高频率整流应用中表现出色，能够快速响应负载变化，提高整流效率。
- 反向保护电路: 由于其高的反向耐压能力，可以用作保护电路，防止电流反向损坏元件。
竞争优势
在同类产品中，STTH110A凭借其卓越的性能、高可靠性和广泛的应用领域，显示出了强大的竞争力。与传统的二极管相比，其快速恢复时间和低正向压降极大地提高了系统的能效，帮助设计工程师设计出更加高效的电源和转换系统。
结论
结合STTH110A的高性能特性、优秀的电气参数和坚定的品牌背书，它无疑是现代电子设计中一种非常理想的选择。无论是在高频开关电源、整流应用还是其他需要高效能的电路中，STTH110A都能够有效满足不同的设计需求，帮助工程师创造出更加高效、可靠的电子产品。