STP7NK80ZFP
STP7NK80ZFP参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.2A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 1.8Ω @ 2.6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 30W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.2A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 欧姆 @ 2.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 56nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1138pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STP7NK80ZFP手册
STP7NK80ZFP概述
STP7NK80ZFP 产品概述
产品类型与应用
STP7NK80ZFP 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 沟道 MOSFET，适用于高电压和中等电流应用。其主要特点包括高达 800V 的漏源电压（Vdss）、连续漏极电流达 5.2A（Tc）以及在 25°C 工作环境下具有出色的功率处理能力（最大功率耗散 30W）。该产品广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动、家电等电子设备中，能够有效满足高效率、高可靠性的需求。
电气性能参数
在电气性能方面，STP7NK80ZFP 的漏源电压（Vdss）为 800V，能满足高压应用的需求，同时其连续漏极电流（Id）为 5.2A，这使其能够处理不同类型的负载。栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 4.5V @ 100µA，说明在相对较低的电压下即可实现导通，方便控制。此外，漏源导通电阻（Rds(on)）在 2.6A 电流和 10V 栅压下为 1.8Ω，为用户提供较低的导通损耗，有助于提高电路效率。
驱动与频率特性
STP7NK80ZFP 的驱动电压范围为 10V，以确保在其最大导通阻抗下能够提供最优的性能。同时，其在 10V 下的栅极电荷（Qg）为 56nC，提供了较低的开关损耗，特别适合高频应用。此外，在不同 Id 和 Vgs 条件下的导通电阻，能够为设计人员在选型时提供更大的灵活性，便于实现不同电源转换效率的要求。
温度与功耗特性
该型号的工作温度范围较广，从 -55°C 到 150°C，适合各种工业和环境条件使用。其最大功率耗散为 30W（Tc），能够确保在高负载工作情况下稳定运行，降低因温升带来的故障风险。稳定的温度特性使其适用于严苛环境下的电气设备，对场效应管要求较高的绝缘和散热设计的应用尤为关键。
封装与安装
STP7NK80ZFP 采用 TO-220FP 封装，便于通孔安装。相较于其他封装类型，TO-220FP 提供更好的散热性能，使得器件在高功率领域中的应用更加可靠。该封装具有较大的表面积，有助于有效散热，并能在高功率操作下保持较低的工作温度。
总结
STP7NK80ZFP 是一款性能强大的 N 沟道 MOSFET，具备高电压、高电流、低导通电阻和良好的散热特性。这使其成为多种工业和消费类电子应用的理想选择，特别是需要高效能和高可靠性的电源管理系统。通过合理的设计选择，STP7NK80ZFP 可以有效提升电子电路的性能，降低能耗，并延长设备的服务寿命。对于设计师来说，选择合适的 MOSFET 是实现高效电源设计的关键，而 STP7NK80ZFP 则提供了优质的性能和可靠性，满足其在各类高压应用中的需求。