STP65NF06
STP65NF06参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 60A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 14mΩ @ 30A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 110W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 毫欧 @ 30A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 75nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1700pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP65NF06手册
STP65NF06概述
STP65NF06 产品概述
产品简介
STP65NF06是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道MOSFET，采用TO-220AB封装，设计用于高功率和高效率的电子应用，具有出色的性能指标。这款MOSFET的核心特点包括高漏源电压（Vdss）为60V，持续漏极电流（Id）为60A，极低的导通电阻（Rds(on)）为14mΩ，以及较宽的工作温度范围（-55°C至175°C）。这些特性使得STP65NF06在电源管理、逆变器、DC-DC转换器以及电机驱动等多种应用中表现出色。
电气特性
漏源电压（Vdss）: STP65NF06的最大漏源电压为60V，能够为多种工业和消费类电子设备提供电源管理领域的高可靠性。
连续漏极电流（Id）: 在25°C下，STP65NF06能够承受高达60A的连续漏极电流，这使得它在负载高的应用场景下表现优异。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的门源极阈值电压为4V @ 250µA，提升了在低电压条件下的驱动能力，确保MOSFET能够在较低的驱动电压下正常开启。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 在30A和10V的操作条件下，STP65NF06的漏源导通电阻仅为14mΩ，这在一定程度上降低了功率损耗和热量生成，提升了整体能效。
栅极电荷（Qg）: 在10V条件下，栅极电荷为75nC，说明该器件在开启和关闭过程中具有良好的开关特性，适合高频应用。
输入电容（Ciss）: 其输入电容在25V时测得最大值为1700pF，提供了良好的开关稳定性。
热性能
STP65NF06在高功率应用中展现的另一个优越特性是其高功率耗散能力。该器件的最大功率耗散在25°C情况下为110W（Tc），使其能够适应高功率密度的工作环境。同时，它支持的工作温度范围为-55°C至175°C，适应了极端环境条件下的可靠性要求。
封装与安装
STP65NF06采用TO-220-3封装形式，这种封装结构有助于有效散热，适合高功率应用。此外，通孔封装设计使得其在电路板上的安装更加灵活，便于散热装置的结合。
应用领域
凭借其优越的性能参数，STP65NF06广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 包括AC-DC转换器、DC-DC变换器等。
- 电机驱动: 提供高效率的电机控制，适合各种工业和消费电器。
- 逆变器: 在光伏系统和无间断电源（UPS）中，STP65NF06能够实现高效的能量转换与控制。
- 开关电源: 适合用于高频开关电源的设计。
总结
STP65NF06作为一款强大的N沟道MOSFET，以其高性能、电气特性以及广泛的应用领域，正逐渐成为电源管理与控制领域的重要选择。无论是在高效能电源转换还是电机驱动系统中，STP65NF06都能够提供可靠的解决方案，满足现代电子设备对效率和稳定性的高要求。