STP55NF06L
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220
包装 :
管装
重量 :
2.74g
描述 :
场效应管(MOSFET) 95W 60V 55A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.66按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.66
--
100+
￥2.93
--
1000+
￥2.71
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP55NF06L参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 55A |
| 栅源极阈值电压 | 1.7V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 18mΩ @ 27.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 95W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 55A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V，5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 27.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 37nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1700pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 95W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP55NF06L手册
STP55NF06L概述
STP55NF06L 产品概述
STP55NF06L 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用 TO-220 封装，主要用于高效电源管理、开关电源和功率转换应用。它的设计旨在满足对高驱动电流、低导通电阻和高反向电压的需求，适用于多种工业和消费电子产品。
1. 基本参数
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 55A @ 25°C
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1.7V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 18mΩ @ 27.5A, 10V
- 最大功率耗散: 95W（当散热器温度为 25°C 时）
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C（结温 TJ）
2. 主要特征
- 低导通电阻: STP55NF06L 的导通电阻值为 18mΩ，这使其在高电流条件下表现出极低的功耗，减少发热和功率损耗，显著提高了系统的能效。
- 高电流承载能力: 该元件能够支持高达 55A 的连续漏极电流，这为大电流应用提供了良好的解决方案，适合各类需要大电流驱动的设备。
- 广泛的工作温度范围: 其工作温度范围从 -55°C 到 175°C，适应恶劣的环境条件，确保了设备在各种极限条件下的稳定运行。
3. 应用领域
STP55NF06L 特别适合以下应用：
- 开关电源: 在开关电源模块中，MOSFET 可用于高效的开关和整流，增强功率转换效率。
- 电机驱动: 适用于驱动直流电机和步进电机的控制电路，提供高功率和高效率的解决方案。
- 电源管理: 广泛用于各种电源管理模块中，包括负载开关、LED 驱动和相关高频开关应用。
- 逆变器设计: 在电源逆变器系统中使用，确保高电压、大电流的输出，满足近现代电力应用的需求。
4. 驱动特性
STP55NF06L 具有较高的栅极电荷 (Qg)，最大值为 37nC @ 4.5V，使驱动电路设计相对简单。推荐的驱动电压为 10V，能确保 MOSFET 在导通和关断状态迅速切换，降低开关损耗，提高工作效率。
5. 封装与安装
该器件采用 TO-220 封装，方便安装，具有良好的散热性能和较高的散热效率，非常适合需要良好散热的功率应用。TO-220 封装易于焊接，适用多种焊接工艺，是电子设备中常见的选择。
6. 总结
STP55NF06L 是一款高效能、稳定的 N 沟道 MOSFET，具有广泛的应用前景。它的综合性能使其成为电源管理与开关电源领域的理想选择。凭借其较低的导通电阻、高电流承载能力和宽工作温度范围，这款 MOSFET 提供了显著的性能优势，满足了现代电子设备对高效率、低功耗的需求。无论是在工业自动化、消费电子，还是在新能源汽车领域，STP55NF06L 都展现出了其广泛的适用性和优越的技术特性。