STL90N10F7

STL90N10F7 产品概述

1. 产品简介

STL90N10F7是一款高性能N沟道MOSFET场效应管，采用先进的金属氧化物半导体技术（MOSFET）制造。该器件以其卓越的电流承载能力和低导通电阻而闻名，适用于高压、大电流的电子电路设计。其额定漏源电压为100V，连续漏极电流可达到70A，使之成为高功率应用中的理想选择。

2. 技术规格

• FET 类型：N通道
• 技术：MOSFET
• 漏源电压（Vds）：100V
• 连续漏极电流（Id, Tc=25°C）：70A
• 导通电阻（Rds(on)）最大值：10.5毫欧 @ 8A，10V
• 栅极电压（Vgs(th) 最大值）：4V @ 250μA，适合低栅极电压控制
• 栅极电荷（Qg）最大值：39nC @ 10V，反映了快速开关性能
• 输入电容（Ciss 最大值）：3550pF @ 50V，适合快速转换应用
• 功率耗散：最大5W在环境温度下，最大100W在结温下
• 工作温度：175°C，适应高温环境
• 标准封装：PowerFlat™（5x6），便于表面贴装

3. 性能优势

STL90N10F7在多个关键性能参数上均表现优越。低导通电阻（Rds(on)）使其在导通状态下几乎没有能量损失，因此在大电流应用中减少了热量产生，提升了整体效率。在动态响应方面，低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）能够显著提高开关速度，减少反应时间，使其在高频开关和高速度应用中表现更加出色。

此外，该MOSFET的最大工作温度高达175°C，适合于恶劣环境和高温操作条件，这一特性使其能够广泛应用于各类工业及汽车电子设备。

4. 应用领域

STL90N10F7因其卓越的电性表现，广泛应用于多个领域：

• 开关电源：在DC-DC转换器中作为开关晶体管，提供高效能量转换。
• 电动机驱动：可用于各种电机控制中，如无刷直流电机（BLDC）和步进电机驱动。
• 电源管理：在电源供应和分配系统中用作开关元件，提高电源效率。
• 汽车电子：在电动汽车、混合动力汽车中的动力控制和电池管理系统中展现极佳性能。

5. 封装与安装

STL90N10F7采用PowerFlat™（5x6）封装，适合表面贴装，便于在现代电子设备中集成，特别是在空间有限的设计中，能够为工程师提供优秀的布局灵活性与热管理解决方案。

6. 总结

STL90N10F7是一款高效率、高温工作、低导通电阻的N沟道MOSFET，适合各类高压、大电流应用。凭借其卓越的参数和可靠的性能表现，它无疑是电源管理、电动机驱动及各种电子设备中不可或缺的关键元器件。选择STL90N10F7将为您的设计项目带来更高的能源效率、稳定性与性能，值得所有电子工程师的青睐。