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STF8NK100Z
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3 整包
包装 :
管装
重量 :
2.45g
描述 :
场效应管(MOSFET) 40W 1kV 6.5A 1个N沟道 TO-220F-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
9.66按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥9.66
--
100+
￥8.19
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF8NK100Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 1000V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6.5A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 1.85Ω @ 3.15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 40W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.85 欧姆 @ 3.15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 102nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2180pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 40W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF8NK100Z手册
STF8NK100Z概述
STF8NK100Z 产品概述
概述
STF8NK100Z 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件设计用于高压应用，具有优异的导电性能和热管理特性，适合在高电压和高电流条件下使用。STF8NK100Z 采用 TO-220 封装，便于散热和安装，适用于多种电子电路和系统中。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 的漏源电压为 1000V，使其能够在高压环境下稳定工作。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，连续漏极电流可达 6.5A（Tc），适用于需要持续电流的电路。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 栅源极阈值电压为 4.5V @ 100µA，提供良好的导通特性。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅电压及 3.15A 的电流情况下，漏源导通电阻为 1.85Ω，确保了较低的功耗和热量生成。
- 最大功率耗散: 该器件在 25°C 的环境温度下可支持最大功率耗散为 40W（Tc），显示出良好的热管理能力。
- 工作温度范围: 工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，适应严苛的工作条件。
封装与安装
STF8NK100Z 使用 TO-220-3 整包封装，便于散热，能够通过脚位轻松与电路板连接，适合通孔安装。这种封装类型也有助于在封装内外之间有效传递热量，保持器件正常工作。
应用场景
由于其卓越的电气性能，STF8NK100Z 被广泛用于以下领域：
- 电源管理: 该 MOSFET 可用于开关电源、直流-直流转换器等电源管理系统中，提供高效的开关性能。
- 电动机驱动: 适用于电动机控制电路，如高压直流电动机驱动器，能够处理较大的电流负载。
- 工业应用: 在工业自动化、可再生能源（如太阳能逆变器）、家电控制等领域也表现出良好的适应性。
- 高压应用: 适合所有需要高电压和高电流的应用场合，例如电力电子设备及电机驱动应用。
性能优势
- 高压能力: 具备 1000V 的耐压能力，使其能够在高压环境中提供可靠的性能。
- 低导通电阻: 低 Rds(on) 值确保了高效能量转化，降低了功率损耗，从而提高了整体系统效率。
- 宽工作温度: -55°C 到 150°C 的工作温度范围使其适应各种环境条件，适合于严酷的工业环境。
- 易于驱动: 适合用低电压的驱动信号，良好的栅源电压阈值特性提升了设计灵活性。
小结
STF8NK100Z 是一种高效、高压 N 沟道 MOSFET，结合了优异的电气性能、宽广的工作温度范围和高功率处理能力。无论是在现代电源转换设备还是在高电流驱动系统中，它都能发挥出色的性能，是许多电子设计方案不可或缺的组成部分。其卓越的技术特性和可靠性，使其成为工程师在选择高压器件时的重要选择。