STF7NM60N
STF7NM60N参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 900mΩ @ 2.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 20W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 900 毫欧 @ 2.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 363pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 20W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-5 整包 |
STF7NM60N手册
STF7NM60N概述
STF7NM60N 产品概述
在现代电子设备中，功率MOSFET以其出色的开关特性和高效能而广泛应用于各种电源管理和控制电路中。STF7NM60N是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道MOSFET，具有600V的漏源电压（Vdss）和最高连续漏极电流（Id）达5A（在75°C时的Tc），是电源转换和高压应用的理想选择。
1. 基本电气参数
STF7NM60N的关键电气参数使其非常适合高电压和高电流的应用。它的漏源电压（Vdss）为600V，允许在高电压环境中的稳健操作，广泛应用于开关电源、逆变器及伺服驱动领域等。该MOSFET在25°C时的最大持续漏极电流为5A，使其能够支持多种功率级别的应用。
其导通电阻（Rds_on）为900mΩ（在2.5A、10V条件下测得），这一特性有助于降低器件在启用状态下的功耗，从而提高整个电源系统的效率。同时，栅源极阈值电压（Vgs(th)）为4V（在250µA时测得），保证了MOSFET的快速开关性能。
2. 功能特性
STF7NM60N具备卓越的输入电容（Ciss）表现，最大输入电容为363pF（在50V时测得），这意味着在快速开关条件下，可以有效减少开关损耗，提高系统的整体工作效率。此外，其栅极电荷（Qg）为14nC（在10V下测得），使得驱动电路的设计更加简便，能够满足高频操作的需求。
该器件能够承受的最大栅源电压（Vgs）为±25V，提供额外的设计灵活性，同时避免因超压导致的器件损坏。此外，工作温度范围可达到150°C（TJ），使得STF7NM60N在严苛环境下也能稳定运行。
3. 封装和安装
STF7NM60N采用TO-220FP封装，便于散热与安装，这种封装类型的设计使得其在于基板的连接上更为灵活，并且良好的热导性能使其在高功率应用场合下依然能够保持良好工作状态。TO-220FP是一个流行的封装形式，因其能够支撑较大的电流和散热需求而被广泛采用。
4. 应用场景
STF7NM60N主要应用于高压开关电源、DDC（直流-直流转换器）、逆变器、光伏发电系统，以及电机驱动控制等领域。随着功率电子技术的不断进步，该器件的高效能和可靠性使其成为未来多种电源应用的标配器件。
5. 结论
总之，STF7NM60N是一个具有高效率和高可靠性的N沟道MOSFET，凭借其600V的工作电压以及5A的漏极电流，无疑是在高压和高功率应用中表现优异的解决方案。意法半导体的这款MOSFET以其卓越的性能使其成为电源设计工程师值得信赖的选择，为诸多电子设备的性能提升提供了保障。随着电子技术的发展和对更高效能器件需求的增加，STF7NM60N将在未来的电子应用中扮演越来越重要的角色。