STF3NK80Z
STF3NK80Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.5A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 4.5Ω @ 1.25A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 25W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 欧姆 @ 1.25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 485pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF3NK80Z手册
STF3NK80Z概述
STF3NK80Z 产品概述
1. 产品简介
STF3NK80Z 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为高压应用而设计。此元器件以其出色的电压和电流承受能力，在工业和消费类电子产品中广泛应用，适合用于开关电源、逆变器、电机驱动、照明控制等多种场景。
2. 主要参数
- 漏源电压（Vdss）：800V
- 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A（Tc）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：4.5V @ 50µA
- 漏源导通电阻（Rds(On)）：4.5Ω @ 1.25A, 10V
- 最大功率耗散：25W（Ta=25°C，Tc条件下）
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C
- 导电类型：N 通道 MOSFET
- 封装类型：TO-220-3
3. 特性与优势
STF3NK80Z 采用高铁电材料经过优化的制造工艺，确保其在高频、高电压条件下的稳定性与高效性。以下是其主要特性与优势：
高压能力：高达800V的漏源电压使其在多个商业及工业环境中都具有极强的适应性，即使是在复杂的电气环境下，也能表现出优越的性能。
适中的持续电流：其连续漏极电流能力为2.5A，结合其优秀的热管理特性，使得STF3NK80Z非常适合电源调节、功率放大等应用。
低导通电阻：在1.25A电流下的导通电阻4.5Ω，使得该 MOSFET 在工作时具有更低的功率损耗，优化了效率并降低了发热，适合要求高效率的电子设计。
宽工作温度范围：-55°C 至 150°C 的工作温度范围，确保了在极端环境下的可靠性，使其在汽车、工业控制等恶劣场合中均能胜任。
4. 应用场景
STF3NK80Z MOSFET广泛应用于不同的电子设备，主要包括但不限于以下几个领域：
开关电源：在AC-DC或DC-DC电源转换器中，STF3NK80Z能够有效地控制电能的转化与分配，提升电源的稳定性和效率。
电机驱动：在电动机控制器中，它能够有效切换电流，确保电机的高效运转，是精细控制与调速的理想选择。
照明控制：在LED驱动器及调光电路中，可确保快速开关操作并保持光源的一致性，是现代照明解决方案的核心组件。
逆变器：在太阳能逆变器和其他可再生能源技术中，STF3NK80Z能保证高效的能量转换，支持可持续能源的发展与应用。
5. 封装与安装
STF3NK80Z MOSFET 采用 TO-220 封装，适合通孔安装，具有良好的散热性能及机械强度。TO-220 封装的设计也使得其在电路板上的布局与连接更加方便，为设计工程师提供了极大的灵活性。
结论
STF3NK80Z MOSFET凭借其高压能力、优良的电流承受能力和低导通电阻，在多种应用场景中均表现出色。意法半导体的专业制造工艺以及多年的行业经验，使得该 MOSFET 成为电子产品设计和实现高效能的可靠选择。在未来的电源管理及控制系统中，STF3NK80Z有望持续发挥重要作用，推动技术创新和应用发展。