STF26NM60N
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220FP
包装 :
管装
重量 :
2.6g
描述 :
场效应管(MOSFET) 35W 600V 20A 1个N沟道 TO-220F
库存 :
5003(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
6.22按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.22
--
100+
￥4.97
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF26NM60N参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 165mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 35W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 165 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1800pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 35W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF26NM60N手册
STF26NM60N概述
STF26NM60N 产品概述
基本信息：
STF26NM60N是一款高性能的N沟道MOSFET，专为高压开关应用而设计，具有600V的漏源电压（Vdss）和最高20A的连续漏极电流（Id）。其封装形式为TO-220FP，这种封装不仅方便安装，而且良好的散热性能能够有效支持这一器件在高功率应用中的性能。
技术参数：
- 漏源电压（Vdss）： 600V
- 连续漏极电流（Id）： 25°C时最大20A
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 4V @ 250µA，适合多种控制电路应用
- 漏源导通电阻（Rds(on)）： 在10A，10V条件下为165mΩ，这意味着在正常工作条件下能有效减小能量损失
- 最大功率耗散（Pd）： 35W (在Tc=25°C时)，同样适用于高温工作环境
- 工作温度范围： 最高可达150°C，适合更为恶劣的环境
- 驱动电压（Vgs）： 最大±30V，提供足够的驱动余量
- 输入电容（Ciss）： 1800pF @ 50V，影响开关速度，与其他电容器件配合良好
- 栅极电荷（Qg）： 60nC @ 10V，优异的栅驱动性能，降低了高频操作中的损耗
应用领域：
STF26NM60N MOSFET适用于多种高压和高效率的应用场景，包括但不限于：
- 开关电源
- DC-DC转换器
- 电机驱动和控制电路
- 高频开关电路
- 太阳能逆变器及风能转换器
- 照明和其他电器控制系统
优点与特点：
- 高电压耐受性： 600V的漏源电压使其能够在电力电子应用中广泛使用，特别是需要高电压的设备。
- 低导通电阻： 如果工作在额定条件下，其导通电阻较低，能有效提高能效并减少发热。
- 热稳定性： 通过设计与材料的选择，这款MOSFET在高温下仍能保持稳定的性能，非常适合要求严苛的应用环境。
- 易于驱动： 其栅极阈值电压适中，标准的驱动电路即可控制，便利性较强。
总结：
STF26NM60N是一款性能优越的N沟道MOSFET，适合众多高压应用。凭借其高耐压、低导通损耗、良好的热管理特性以及适应恶劣环境的能力，使其成为电力电子设计中的理想选择。意法半导体作为全球知名的半导体制造商，凭借出色的工艺和技术，STF26NM60N MOSFET在市场中占据了重要的位置，并广受工程师和设计师的青睐。