STF25NM60ND
STF25NM60ND参数
| 封装/外壳 | TO-220-3整包 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 600V | 安装类型 | 通孔(THT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 10.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 80nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2400pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 40W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
STF25NM60ND手册
STF25NM60ND概述
产品概述：STF25NM60ND N沟道MOSFET
STF25NM60ND是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能绝缘栅场效应管（MOSFET），采用TO-220-3封装设计。该元件特别适用于高压和高电流的应用，广泛应用于电源管理、工业控制、电机驱动及其他要求高效率和高可靠性的场合。
基本特性
电压与电流能力
STF25NM60ND的漏源极电压（Vdss）高达600V，支持了在高电压应用环境下的稳定运行。同时，产品的连续漏极电流（Id）在25°C时可达到21A，这使得该MOSFET非常适合高负载电流的电路设计。导通电阻与效率
本产品具备低导通电阻（Rds(on)），在10V的驱动电压下，其最大导通电阻为160毫欧（@ 10.5A），有效减少能量损耗，提升系统的整体效率。这一特性使其非常适合需要高效能和低热量的应用。栅极驱动与开关特性
STF25NM60ND的驱动电压范围在10V，最大栅电荷（Qg）为80nC，这简化了驱动电路设计并提高了开关速度。此外，该MOSFET的阈值电压（Vgs(th)）最大为5V（@ 250µA），使得设备可以在较低的栅电压下快速导通。散热性能
随着功率的增加，设备的热管理变得尤为重要。STF25NM60ND的最大功率耗散可达40W（在Tc条件下），并且工作温度范围高达150°C（TJ），这意味着该MOSFET可以在严苛的工作环境中持续稳定运行。封装与安装
这款MOSFET采用TO-220-3封装设计，支持通孔（THT）安装方式。该封装不仅便于散热，还方便在电路板上进行安装和布局，为设计工程师在电路设计时提供了更多灵活性。
应用领域
STF25NM60ND的设计特点使其广泛适用于各类领域，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）：高效率的开关电源设计中，STF25NM60ND能够有效减少能量损耗，提高整机的效率。
- 电机驱动：在工业电机和其他类型电机的驱动控制中，该MOSFET可作为高效的开关元件，提供快速的开关响应和精准的控制。
- 逆变器：特别是在太阳能逆变器和其它可再生能源应用中，STF25NM60ND能在高电压和电流下稳定工作，有助于提高能量转换效率。
- LED驱动电路：作为高效LED驱动的开关元件，可以确保在开关过程中始终保持低的导通损耗。
总结
STF25NM60ND是一款出色的N沟道MOSFET，凭借其高电压、高电流能力及优秀的热管理特性，成为高效能电源和驱动应用中理想的方案选择。其低导通电阻、高开关速度和宽广的工作温度范围，使其在各种严苛的工作条件下都能保持卓越的性能，是电子设计工程师的重要工具，为提高电子设备的效率、可靠性作出了重要贡献。