STF13NM60N
STF13NM60N参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 360mΩ @ 5.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 25W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 360 毫欧 @ 5.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 790pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF13NM60N手册
STF13NM60N概述
STF13NM60N 产品概述
1. 产品简介
STF13NM60N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N沟道MOSFET，广泛应用于各种电源管理和开关电路中。这款MOSFET的主要特性包括最高漏源电压（Vdss）为600V，连续漏极电流（Id）为11A，最高功率耗散为25W，使其在高电压和高电流应用中表现出色。该器件采用TO-220FP封装，便于散热和安装。
2. 主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 600V，适用于高压电源等场合。
- 连续漏极电流（Id）: 11A（在25°C时），确保器件能够承受较高的负载。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250µA，这一特性对选择开启和关闭电平有重要影响。
- 漏源导通电阻（Rds On）: 360mΩ @ 5.5A, 10V，低导通电阻意味着更高的效率和更低的功耗。
- 最大功率耗散: 25W（在25°C时），适合于高功率应用。
- 驱动电压: 最大的Rds On和最小的Rds On为10V，利于实现快速开启和关闭。
- 工作温度范围: -55°C至150°C（TJ），适用于多种环境和工业应用。
3. 电气特性
STF13NM60N的栅极电荷（Qg）最大值为30nC @ 10V，这表明其在进行开关操作时的驱动要求较低，能够减少驱动电路的损耗。同时，这款MOSFET的输入电容（Ciss）在50V时的最大值为790pF，这意味着在高频率操作情况下，其表现依然稳定，有助于提高开关频率和效率。
4. 封装和散热
STF13NM60N采用TO-220FP封装，这种封装形式为安装和散热提供了便利。TO-220FP的设计可以有效地散热，适合在高功率应用中使用，能够有效地降低器件的工作温度，从而提高整体系统的可靠性。
5. 应用领域
STF13NM60N广泛应用于各种电源转换器、逆变器、DC-DC转换器及电机驱动等领域。由于其高耐压、高电流、低导通电阻的特性，使其非常适合用于中高功率开关电源（SMPS）、照明控制、工业自动化及其他要求高效能的电气设备中。
6. 性能优势
使用STF13NM60N可以显著提高系统的整体能效。例如，较低的导通电阻意味着在传输电流时产生的热量较少，因此在设计中可以减小散热器的体积和成本。此外，其优秀的开关特性减少了开关损耗，使得电源转换效率得到提升。
7. 总结
STF13NM60N凭借优越的电气性能和适应广泛的应用场景，是电子设计师和工程师在进行高电压和高电流应用设计时的理想选择。无论是在电源管理、逆变应用还是在工业控制系统中，STF13NM60N都能够提供可靠和高效的性能支持。因此，它成为现代电子设备中一个不可或缺的重要元件。