STF13N65M2
STF13N65M2参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 430 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 590pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 25W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF13N65M2手册
STF13N65M2概述
STF13N65M2产品概述
一、产品简介
STF13N65M2是一款高性能N通道MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）推出，专为高压应用而设计。该产品拥有650V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），在各种电子电路中能够提供出色的效率和可靠性。其采用经过优化的工艺技术，具有较低的导通电阻和开关损耗，适用于开关电源、电机控制以及高效能的金属氧化物场效应管（MOSFET）应用。
二、技术参数
漏源电压（Vdss）: STF13N65M2 支持最高650V的工作环境，适合要求较高的电压应用。
连续漏极电流（Id）: 在25°C的环境温度下，最大可连续承载10A的漏电流，满足多种高电流需求的应用。
导通电阻（Rds(on)）: 对于此MOSFET，其在5A、10V驱动电压下，最大导通电阻为430毫欧（mΩ），有效减少功耗并提高电路效率。
栅极-源极阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为4V@250µA，确保MOSFET能够在较低电压下快速开启，提升控制灵活性。
栅极电荷（Qg）: 在10V驱动条件下，栅极电荷最大为17nC，意味着开关速度较快，有助于降低开关损失，提升电源转换效率。
输入电容（Ciss）: 最大输入电容590pF@100V，确保快速高效的信号切换及优良的频率响应特性。
功率耗散（最大值）: 该MOSFET的最大功率耗散为25W，适合用于承受高负载的Applications。
工作温度: 最高工作温度可达150°C（TJ），适应较高的工作环境，提供良好的热稳定性。
封装形式: STF13N65M2采用TO-220FP封装，具备优良的散热性能，并可方便地进行通孔安装，适用于各种电路设计。
三、应用场景
STF13N65M2广泛应用于多个领域，包括但不限于：
开关电源: 由于其高电压、高电流和低导通电阻的特性，该MOSFET适合用作高频开关电源中的开关元件，提升整个电源的效率和性能。
电机控制: 在电机驱动电路中，MOSFET作为开关元件能够有效地控制电机的运行状态，降低能耗，同时提高电机控制精度。
LED驱动: 在LED照明应用中，该元器件能够作为驱动开关，控制电流，确保LED的稳定运行。
逆变器: 在太阳能逆变器和UPS系统中，STF13N65M2可以有效处理电流的转换，提高系统的效率与可靠性。
四、总结
STF13N65M2是一款出色的N通道MOSFET，其兼具高电压、高电流和低导通电阻等多项优异性能。由STMicroelectronics制造，凭借其可靠的技术规格适用于多种苛刻的电子电路需求。这种MOSFET为电源系统、电机控制及其他高效应用提供了理想的解决方案，是设计工程师在构建高效率电子产品时的理想选择。