STF10N80K5
STF10N80K5参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 9A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 600mΩ @ 4.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 30W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 600 毫欧 @ 4.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 635pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF10N80K5手册
STF10N80K5概述
STF10N80K5 产品概述
概述
STF10N80K5 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高压和大功率应用而设计。它具有 800V 的漏源电压（Vds），能够承受高达 9A 的连续漏极电流（Id），适合用于电源管理、开关电源、变频器及马达驱动器等各种应用场景。
主要特性
漏源电压（Vdss）: 800V
STF10N80K5 的最大漏源电压为 800V，适合高压电路的设计，可以广泛应用于工业设备、电力电子以及家电等领域。连续漏极电流（Id）: 9A @ 25°C
此款 MOSFET 在 25°C 的环境温度下能够连续工作至 9A，适用于需要高电流驱动的应用。栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 5V @ 100µA
标签的阈值电压使其能在适度的栅驱动电压下快速开启，增加了设计的灵活性。漏源导通电阻 (Rds(on)): 600mΩ @ 4.5A, 10V
该特性使得在正常工作条件下的功耗降低，允许设计师在热管理上获得更好的性能。最大功率耗散 (PD): 30W @ Ta=25°C
该 MOSFET 的最大功率耗散能力为 30W，使其适用于高功率应用。设计时需注意散热，以确保元件在安全温度范围内运行。驱动电压 (Vgs): ±30V
这种高的栅极电压可以实现高效的开关，同时为电路设计提供灵活性。工作温度范围: -55°C ~ 150°C
较宽的工作温度范围使得该器件适用于严酷环境的工业应用。封装类型: TO-220-3 整包
TO-220 封装不仅便于安装，而且具备良好的散热能力，为高功率应用提供了必要的支持。
应用场景
STF10N80K5 适用于多种电力转换应用，包括：
开关电源: 在开关电源中，MOSFET 决定了电源效率和稳定性，STF10N80K5 低导通电阻的特性可有效提升整体性能。
电机驱动: 在电机控制和变频器中，该 MOSFET 以其高电流和高效率特别适合用作开关元件，以便提供平滑的马达控制。
照明和高压灯驱动: 适用于高压气体放电灯及LED驱动电路，能够满足负载的高电压和电流需求。
电解电容器的高频开关: 在电解电容器应用中，STF10N80K5 可用于高频开关电路，以提高效率和降低损耗。
小结
总的来说，STF10N80K5 是一款功能全面、性能优越的 N 沟道 MOSFET，具有高电压、高电流的稳健特性以及适用的宽广工作温度范围。凭借其低导通电阻的优势和高功率处理能力，该组件将在电力电子系统中发挥重要作用，是各种高效能设计的理想选择。