注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
STD7NM60N
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
DPAK
包装 :
编带
重量 :
0.475g
描述 :
场效应管(MOSFET) 45W 600V 5A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.9按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.9
--
100+
￥2.23
--
1250+
￥1.94
--
2500+
￥1.83
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
STD7NM60N参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 900mΩ @ 2.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 45W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 900 毫欧 @ 2.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 363pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD7NM60N手册
STD7NM60N概述
STD7NM60N 产品概述
1. 概述
STD7NM60N是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），设计用于在高压和高电流应用中提供卓越的电子开关性能。该器件的最大漏源电压（Vdss）高达600V，能够承受较高的电压，是电源管理、开关电源、逆变器及电机驱动等领域的理想选择。
2. 主要特性
- 漏源电压（Vdss）: 600V
- 连续漏极电流（Id）: 5A @ 25°C (Tc)
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 最大 900mΩ @ 2.5A, 10V
- 驱动电压: 10V (最大 Rds(on) 在 10V 时)
- 栅极电荷（Qg）: 最大 14nC @ 10V
- 最大功率耗散: 45W @ Ta=25°C
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
3. 应用场景
STD7NM60N MOSFET非常适合以下应用：
- 开关电源: 在高频转换和高效率要求的电源设计中，MOSFET可以高效地进行开关，减少能量损失。
- 电动机驱动: 其高电压和电流承受能力，使其在电动机驱动电路中表现出色，能够实现高效的控制和调节。
- 逆变器: 应用于光伏逆变器和电池逆变器领域中，帮助实现高能量转换效率。
- 照明控制: 对LED灯具和荧光灯具的驱动和调光控制，提供稳定的性能。
4. 结构与封装
STD7NM60N采用TO-252-3 (DPAK)封装，这种表面贴装型封装在多个行业中被广泛使用，具备良好的散热能力和易于焊接的特性。该封装可以有效地将热量传导出去，同时适应现代电子设备对小型化和高密度配置的需求。
5. 性能优势
- 高压操作: 能够在600V的高电压下可靠工作，适用于需要高电压的电气设备。
- 低导通损耗: 900mΩ的低导通电阻确保了设备在开关工作中的能量损耗降低，提高了整体能效。
- 优异的热特性: 45W的功率耗散能力确保该器件在高负载条件下持续运行而不出现过热问题。
- 广泛的工作温度: 可在-55°C到150°C的工作环境中运行，适用于各类极端和严苛的环境。
6. 结论
STD7NM60N作为一款高性能N沟道MOSFET，结合了出色的电气特性和适合多种应用场合的优势，使其在电源管理、电动机控制和高压开关电路中表现卓越。凭借其良好的性价比、高可靠性和耐用性，STD7NM60N必将成为工程师和设计者在高压应用领域的首选元件之一。通过选用STD7NM60N，能够有效提升电路性能和系统整体效率，同时降低能耗和发热，为下代电子产品的设计提供了更大的灵活性和可能性。