STD60N3LH5

STD60N3LH5 产品概述

产品简介： STD60N3LH5是一款高性能的N沟道MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）公司生产。该型号MOSFET以其优异的电力处理能力和广泛的应用灵活性而闻名，适合用于各种高效能电源管理和控制电路中。其特别设计的封装形式和技术特性使其能够在苛刻环境下工作，提供稳定、可靠的性能。

基础参数： STD60N3LH5产品采用TO-252-3的DPAK封装形式，便于表面贴装，实现紧凑的电路设计。其能够承受的最大漏源极电压（Vdss）为30V，广泛适用于低至中压的应用场合。该MOSFET在25°C的环境温度条件下可实现持续漏极电流（Id）高达48A，适应于高负载电源电路。这种优越的电流承载能力使其成为功率放大、开关电源和电机驱动等应用中的理想选择。

电气特性： STD60N3LH5具有低导通电阻特性，其中在10V的栅源电压（Vgs）和24A的漏极电流情况下，最大Rds(on)仅为8毫欧。这一性能显著降低了导通损耗，从而提升了功率转换效率。同时，该MOSFET的栅极阈值电压（Vgs(th)）在3V @ 250µA的条件下显示出良好的驱动特性，确保了快速开关响应和高效控制。

在驱动需求方面，STD60N3LH5需要的最大驱动电压为±20V，适合多种控制电路配置。此外，其在5V的栅源电压条件下的栅极电荷（Qg）为8.8nC，表明该MOSFET具有极低的开关损耗，适合高频开关应用。输入电容（Ciss）在25V下的最大值为1350pF，有助于进一步减小开关延迟，提高整体开关速度。

热特性与可靠性： STD60N3LH5的功率耗散能力达到60W（Tc），满足了高功率应用的需求，确保在长时间运行时维持稳定的温度管理。其工作温度范围广泛，能够在-55°C至175°C的温度范围内稳定运行，这使得该MOSFET在恶劣环境条件下也能可靠工作。

应用领域： STD60N3LH5广泛应用于电源转换模块、DC-DC转换器、电机控制驱动、LED驱动电源等多个领域，尤以高效的能源管理和电源分配系统为主。其高效的低导通电阻和强大的电流承载能力使其成为现代电力电子设备中不可或缺的基础组件。

总结： 综上所述，STD60N3LH5是一个性能强大、适用范围广泛的N沟道MOSFET。它的低导通电阻、高电流承载能力及稳健的工作温度范围，使其成为电源和开关应用领域的理想解决方案。无论是在电力管理、汽车电子还是工业控制领域，STD60N3LH5都能为电子设计人员提供出色的解决方案，以推动高效和高可靠性的电子产品开发。