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STD45N10F7
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
DPAK
包装 :
编带
重量 :
0.475g
描述 :
场效应管(MOSFET) 60W 100V 45A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
4.84按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.84
--
100+
￥4.02
--
1250+
￥3.66
--
2500+
￥3.39
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
STD45N10F7参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 45A |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 18mΩ @ 22.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 60W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 45A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 22.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 10V | Vgs（最大值） | 20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1640pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 60W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD45N10F7手册
STD45N10F7概述
STD45N10F7 产品概述
概述
STD45N10F7 是由意法半导体（STMicroelectronics）制造的一款高性能 N 沟道场效应晶体管（MOSFET），其特性在功率控制和电子开关应用中极具优势。这款元件被广泛应用于工业电子、电源管理和电机驱动等领域，因其优异的导通特性和高效的散热能力而受到青睐。
主要规格
STD45N10F7 的关键电气参数包括：
- 漏源电压（Vdss）: 100V，能够支持大多数高压应用。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 下，最大连续漏极电流为 45A，允许在高电流负载下稳定操作。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 250µA，确保该 MOSFET 在 10V 的栅驱动电压下能够快速和高效地开启。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 18mΩ @ 22.5A, 10V，意味着在导通状态下能量损失极低，提升了整体电路的能效。
- 最大功率耗散: 60W，提供良好的散热性能，适合高功率应用。
- 工作温度范围: -55°C 到 175°C，表现出优秀的高温和低温稳定性，适应各种恶劣环境。
封装与布局
STD45N10F7 使用 DPAK 封装（TO-252-2），这种表面贴装型封装提供了一定的机械强度和良好的热性能，使其适合于自动化焊接和高密度电子板的应用。同时，DPAK 封装设计减少了电磁干扰和改善了信号完整性，是现代电子设计中对性能有高要求的理想选择。
应用场景
该 MOSFET 的设计使其非常适合应用于如下领域：
- 开关电源: 用于直流-直流转换器、高频PWM 控制等场合，提供高效的电源管理解决方案。
- 电机驱动: 在电动车、家电和工业自动化中，STD45N10F7 作为高效开关元件，推动电机快速、平滑地启动和停止。
- 驱动电路: 用于驱动 LED 照明、继电器等负载，实现高效和稳定的开关控制。
- 消费电子: 在各类电子设备中，为提升性能和电池使用效率提供核心支持。
性能优势
STD45N10F7 的优异性能主要体现在其低导通电阻和快速开关特性上，这使得它能够迅速响应输入信号并在开关状态之间切换，减少了开关损耗。这对于高频应用尤其重要，因为它可以有效地提升系统整体效率，减少热量产生，从而延长设备寿命。此外，广泛的工作温度范围确保了在极端环境中的可靠操作，使其成为高要求工业和运输应用的理想选择。
结论
作为一款高效率的 N 沟道 MOSFET，STD45N10F7 凭借其高电流承载能力、低导通电阻和宽广的工作温度范围，在现代电子设计领域内展现出优越性。无论是用于电源管理还是电机驱动，其性能均能满足甚至超越行业标准，成为设计师和工程师在选择功率开关元件时的优先选择。