STD3NK80Z-1
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 70W 800V 2.5A 1个N沟道 TO-251-3
库存 :
30(起订量1,增量1)
批次 :
18+数量 :
X
2.21按整 :
管(1管有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.21
--
100+
￥1.77
--
750+
￥1.58
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1500+
￥1.49
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18000+
产品参数
产品手册
产品概述
STD3NK80Z-1参数
| 封装/外壳 | TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 800V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 800V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.5 欧姆 @ 1.25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 485pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | I-PAK |
STD3NK80Z-1手册
STD3NK80Z-1概述
产品概述：STD3NK80Z-1 N沟道MOSFET
概述： STD3NK80Z-1是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），适用于高电压和高功率应用场合。该器件由意法半导体（STMicroelectronics）生产，具有高达800V的漏源极电压（Vdss）和最大功率耗散能力为70W。这款MOSFET具有多种优势，包括良好的导通特性、低导通电阻和宽广的工作温度范围，特别适用于电力转换、开关电源、逆变器等领域。
主要参数：
封装和规格
- 封装类型: TO-251-3短引线（IPak），即TO-251AA
- 通孔安装类型: 适合传统通孔技术的电路板应用。
电气特性
- 漏源极电压（Vdss）: 最高可达800V，这使得该MOSFET适合高压应用。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，最大可以达到2.5A。
- 栅源电压（Vgs）: 最大为±30V，为器件提供了更广的驱动电压范围。
- 导通电阻（Rds (on)）: 在10V 的栅驱动电压下，以1.25A的漏电流测试，最大导通电阻为4.5Ω。这意味着在实际应用中，功耗较低并且效率较高。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大阈值电压为4.5V @ 50µA，表明器件开始导通的电压较低，有助于实现更灵活的电路设计。
- 输入电容（Ciss）: 在25V测试时，最大输入电容为485pF，确保了快速开关和高频操作能力。
- 栅极电荷（Qg）: 在10V驱动下，栅电荷最大值为19nC，有助于降低驱动功率，提高系统效率。
功率和热管理
- 功率耗散: 达到70W（Tc），允许器件在高负载条件下可靠工作。
- 工作温度范围: 从-55°C到150°C的广泛工作温度范围，使其适用于严苛的环境条件。
应用领域： STD3NK80Z-1 MOSFET广泛应用于电力电子行业，适合以下应用场合：
- 开关电源: 可用于AC-DC变换器和DC-DC变换器。
- 逆变器: 在太阳能逆变器、电动汽车驱动器中进行直流电与交流电的转换。
- 电机控制: 适用于推进电机的高效控制。
- 电子负载: 在测试和测量设备中作为负载开关。
- 灯具驱动: 在高压灯具中用作开关元件。
总结： STD3NK80Z-1是一款兼具高性能和高可靠性的N沟道MOSFET，凭借其高电压和电流处理能力、低导通电阻及宽温度范围，在电力电子和其他高功率应用领域展现出色的适用性。它的设计考虑了高效能和可靠性，使其成为众多高端电子设计的理想选择。无论是在开关电源、逆变器还是电机控制领域，STD3NK80Z-1都能够提供卓越的性能，并为工程师们在实际应用中带来便利和灵活性。