STD1NK80Z-1
STD1NK80Z-1参数
| 封装/外壳 | TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 800V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 800V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 欧姆 @ 500mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.7nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 160pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | I-PAK |
STD1NK80Z-1手册
STD1NK80Z-1概述
STD1NK80Z-1 产品概述
STD1NK80Z-1 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件采用 TO-251-3 短引线封装，属于 I-PAK 系列，具备卓越的电气特性，适用于全电压范围内的开关和线性应用。
主要特性
高漏源极电压: STD1NK80Z-1 的漏源极电压（Vdss）高达 800V，使其能够处理高电压应用，非常适合需要高阻抗的电源管理、电机控制和照明系统。
优良的电流承载能力: 在 25°C 环境温度下，器件的连续漏极电流（Id）达到 1A，这使得它适合大多数中等功率的开关应用，能够满足各种负载条件下的稳定操作。
低导通电阻: 在特定条件下，器件的最大导通电阻（Rds On）为 16Ω，这提供了良好的效率和热管理能力，降低了功耗，从而实现了更高的系统功率密度。
可靠的栅极控制: 栅源电压（Vgss）可承受 ±30V，确保了使用过程中对栅极的高绝缘性，增强了器件的安全性和可靠性。
良好的热特性: 最大功率耗散能力为 45W，广泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）使其能够在恶劣环境条件下正常工作，这对于工业和汽车应用尤为重要。
快速开关性能: 在特定条件下，栅极电荷（Qg）最大为 7.7nC，配合适宜的驱动电压，能够实现快速的开关速度。这为高频率应用提供了良好的支持，使其在快速切换场合表现出色。
应用场景
凭借其高电压和电流能力，STD1NK80Z-1在许多应用领域中均表现出色，具体包括：
- 电源转换器: 适用于开关电源（SMPS），特别是需要高效率和高功率密度的设计项目。
- 电机驱动: 在直流电机和步进电机驱动中，作为控制元件使用，为高效的电机性能提供支持。
- 照明设备: 在LED驱动电路中作为开关元件，帮助提高照明系统的效率和稳定性。
- 汽车电子: 在高压电路及电源管理应用中，作为开关元件，满足汽车行业对可靠性和稳定性的严格要求。
结论
STD1NK80Z-1 作为一款高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其卓越的电气特点、宽广的工作温度范围和优秀的热管理能力，成为了诸多应用领域中的理想选择。无论是在电源管理、工业自动化还是汽车电子领域，它都能凭借其高效率和稳定性，为设计工程师提供可靠的解决方案。对于在高压和高电流环境下工作的电子设备，STD1NK80Z-1 无疑是一个值得推荐的组件。