STD10P6F6
STD10P6F6参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 160mΩ @ 5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 35W(Tc) | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.4nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 340pF @ 48V | 功率耗散（最大值） | 35W（Tc） |
| 工作温度 | 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD10P6F6手册
STD10P6F6概述
STD10P6F6 产品概述
产品简介
STD10P6F6 是一种高性能的 P 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件采用 DPAK 表面贴装封装，具有良好的散热性能和小型化优势，非常适合各种电源管理和开关应用的需求。它的主要特点包括漏源电压为 60V、连续漏极电流为 10A 和功率耗散能力高达 35W（在特定条件下的冷态情况下）。
主要技术参数
漏源电压 (Vdss): STD10P6F6 的最大漏源电压为 60V，使其能够有效应对多种电压等级的电源应用。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下，连续漏极电流可达到 10A，保证了其在高负载情况下的可靠性。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该器件的栅源阈值电压为 4V @ 250µA，适合低电压驱动。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 5A 和 10V 下，最大导通电阻为 160mΩ，确保低的功耗和高的效率。
最大功率耗散: 在 25°C 时，该 MOSFET 能够支持最高 35W 功率耗散，适合严苛的工作环境。
工作温度范围: 工作温度范围高达 175°C（TJ），提供了良好的温度稳定性。
栅极电荷 (Qg): 在 10V 驱动下的栅极电荷为 6.4nC，有助于降低开关损耗。
输入电容 (Ciss): 在 48V 时，输入电容为 340pF，提供了良好的高频性能。
应用领域
STD10P6F6 适合于多种应用场景，尤其是在需要使用 P 通道 MOSFET 的系统中，包括：
DC-DC 转换器: 由于其高效率和低导通电阻，该 MOSFET 可用于提供稳定的电压输出。
电源开关: 适用于开关电源中，用于高效控制电流的流动。
负载开关: 可用于控制负载的开启和关闭，适合电池供电设备和便携式电子产品。
马达控制: 可以在马达驱动电路中被用作开关元件，控制电机的启停和运行。
能量管理系统: 通过控制电源的连接和断开，在能量回收和管理系统中发挥关键作用。
可靠性与可用性
STD10P6F6 作为意法半导体的产品，采用了先进的制造工艺，确保了其在各种恶劣环境下的可靠性。该 MOSFET 的封装形式为 DPAK，便于在自动化设备和自动贴片机上进行批量生产，满足现代制造的需求。
结论
总体而言，STD10P6F6 是一款高效率、低功耗的 P 通道 MOSFET，凭借其出色的电气性能和广泛的应用范围，成为电子产品设计师和工程师们的理想选择。无论是在电源管理、开关控制，还是马达控制等领域，该器件都彰显其优越性，是现代电子设计中不可或缺的基础元件。