STD10NF10T4
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
DPAK
包装 :
编带
重量 :
0.475g
描述 :
场效应管(MOSFET) 50W 100V 13A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
库存 :
10263(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
2.19按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.19
--
100+
￥1.68
--
1250+
￥1.46
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
STD10NF10T4参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 13A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 130mΩ @ 5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 50W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 130 毫欧 @ 5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 460pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 50W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD10NF10T4手册
STD10NF10T4概述
产品概述：STD10NF10T4
基本信息
STD10NF10T4是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。这款器件具备100V的漏源电压（Vdss）和最高可达13A的连续漏极电流（Id）@25°C的工作条件，是广泛应用于电源管理和开关控制领域的理想选择。
关键规格
- 漏源电压（Vdss）: 100V
- 连续漏极电流（Id）: 13A，适用于高电流场合，提供可靠的电源转换能力。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4V @ 250µA，确保低功耗驱动，同时具有一定的开关灵敏度。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 130mΩ @ 5A, 10V，较低的导通电阻意味着在导通状态下功耗更少，热量更少，能够提高效率。
- 最大功率耗散（Pd）: 50W @ Ta=25°C，表明此器件能够承受较高的功率负载，适合大功率应用。
- 工作温度范围: -55°C到175°C，适应严酷的工业及户外环境，可靠性极高。
- 封装类型: DPAK（TO-252），这种表面贴装型封装设计方便PCB设计和装配，同时提供良好的散热性能。
功能与应用
STD10NF10T4适用于多种应用场景，包括但不限于：
电源转换: 由于其较为优越的开关性能和导通性，该器件在DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源模块中表现出色。
电机驱动: 可以用于直流电机和步进电机的驱动电路，凭借其高电流处理能力及快速开关性能，实现高效率的电机控制。
开关电路: 在各种开关电路中，能够作为高效率开关元件，减少能量损耗。
消费类产品和工业设备: 其宽工作温度范围和高可靠性使其非常适合在消费电子及工业自动化设备中使用。
性能优势
STD10NF10T4具备多项性能优势：
- 高效率: 由于其低Rds(on)，该组件在导通状态下产生的热量较少，能够有效提高整体电路的能量效率。
- 稳定性: 工作温度范围广，使其在各种环境条件下均能保持良好的工作性能与稳定性。
- 易于驱动: Vgs(th)较低，适合常见低门电压驱动电路，降低了外部驱动电路设计的复杂性。
- 快速开关能力: 较小的栅极电荷（Qg = 21nC @ 10V）使其能够提供快速开关响应，在高频应用中表现尤为突出，减少开关损耗。
总结
STD10NF10T4是一款具备卓越性能和多种应用场景的高功率N沟道MOSFET。产品的高可靠性、优异的散热性能及极低的导通电阻使其成为电源管理、电机驱动和开关电路等领域的理想选择。意法半导体致力于为客户提供高性能半导体解决方案，STD10NF10T4正是其产品线中杰出的代表之一。