STB6NK90ZT4
STB6NK90ZT4参数
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 900V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 900V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.8A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 2.9A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60.5nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1350pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | D2PAK |
STB6NK90ZT4手册
STB6NK90ZT4概述
STB6NK90ZT4 产品概述
概述
STB6NK90ZT4是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高电压N沟道MOSFET，采用表面贴装类型（SMT），其封装结构为D2PAK（TO-263-3，D²Pak，2引线+接片），适用于需要高效能与紧凑设计的电子应用。该器件具备优良的电气性能，尤其在高压、高功率的应用场景中表现出色。
关键特性
漏源极电压（Vds）：该MOSFET的漏源极电压高达900V，适合用于高压电源、开关电源及其他需要大电压处理的电路。
连续漏极电流（Id）：在25°C下，STB6NK90ZT4可承受5.8A的连续漏极电流，提供良好的载流能力，并适合大多数工业和消费电子产品的需求。
导通电阻（Rds(on)）：当Vgs为10V时，该产品的导通电阻最大值为2欧姆（在较小的漏电流2.9A时），这意味着该器件在工作时的功率损耗较小，从而提高了整体效率和可靠性。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为4.5V @ 100µA，在设计中能够有效地控制MOSFET的开关行为，使其更易于与不同的控制电路集成。
栅极电荷（Qg）：在10V驱动电压下，栅极电荷最大值为60.5nC，低栅极电荷值有助于提高开关频率，减小控制电路的功耗。
输入电容（Ciss）：在25V下，该器件的输入电容最大值为1350pF，较低的输入电容可提高其在高频应用中的性能。
工作温度范围：支持从-55°C至150°C的广泛工作温度，确保在严苛环境中也能稳定工作，提高了产品的适用性。
功率耗散（Pd）：在温度控制的条件下，该MOSFET能承受最大功率耗散达140W，适合高功率应用。
应用场景
由于其卓越的电气特性，STB6NK90ZT4广泛应用于以下领域：
- 开关电源：可用于电源管理电路，能够高效地转换和控制电压。
- 电机驱动器：由于其高电压承受能力和低导通电阻，可以作为电机控制电路中的开关元件。
- 电力转换装置：适合在逆变器和整流器等电力电子设备中工作。
- 照明控制：可用于LED驱动和其他照明应用，确保高效、持久的性能。
- 消费电子产品：包括智能家居设备和便携式电子产品，为其提供可靠的电源管理。
总结
STB6NK90ZT4是一款性能卓越的N沟道MOSFET，具备高压、大电流和宽温度范围的特性，适用于多种高功率和高电压的应用场合。意法半导体凭借其强大的设计和制造能力，确保了该系列产品在市场中具备优异的竞争力。无论是在工业、消费电子还是电源管理上，该MOSFET都能提供高效和可靠的解决方案，是设计工程师在选择高压开关元件时的重要选择。