STB6NK60ZT4
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
D2PAK
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 110W 600V 6A 1个N沟道 D2PAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.72按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.72
--
100+
￥2.98
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STB6NK60ZT4参数
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 600V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 46nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 905pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | D2PAK |
STB6NK60ZT4手册
STB6NK60ZT4概述
STB6NK60ZT4 产品概述
一、基本信息
STB6NK60ZT4是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N沟道MOSFET，封装类型为D2PAK，符合TO-263-3标准。这款器件适用于各种高电压和中等功率应用场景，具备优越的导电性能和散热特性，适合表面贴装(SMT)设计。
二、主要特性
- 漏源极电压（Vdss）: 最高可达600V，适合多种高压应用。
- 连续漏极电流（Id）: 在25°C时可承受6A（Tc），提供足够的驱动能力。
- 栅源电压（Vgss）: 最大栅源电压为±30V，确保其在不同工作条件下的稳定性。
- 导通电阻（Rds On）: 在10V栅驱动电压下，最大导通电阻为1.2Ω（@ 3A），这使得其在通态损耗方面表现优异。
- 门极总电荷（Qg）: 最大为46nC（@ 10V），保证了快速开关性能，利于提高开关频率并降低开关损耗。
- 功率耗散能力: 最大功率耗散可达110W（Tc），为高功率应用提供强有力的支持。
- 工作温度范围: -55°C到150°C的工作温度范围使其能够在恶劣环境中稳定运行。
三、应用领域
STB6NK60ZT4广泛应用于：
- 开关电源：由于其高电压和高功率特性，非常适用于AC-DC和DC-DC转换器。
- 电机驱动：在工业和消费电子电机控制中的应用，尤其是在需要高效开关的场合。
- 逆变器：可以用于太阳能逆变器等高压直流电源转换场景。
- 照明控制：适合用于LED驱动等高效照明解决方案。
- 消费电子：用于各种家电和电子设备中，提供稳定的电源管理。
四、优点
- 卓越的热性能：D2PAK封装提供良好的散热路径，适合高功率和高热负荷的应用。
- 高效开关能力：低导通电阻和快速响应时间，使其在开关频率高的应用中表现出色，减少开关损耗。
- 设计灵活性：能够与其他类型的元器件配合使用，提供设计上的灵活性和高集成度。
五、总结
STB6NK60ZT4是一款高效能、高可靠性的N沟道MOSFET，凭借其600V的高电压和6A的电流承载能力，是现代电源管理解决方案中不可或缺的组件。无论是在工业、消费电子还是可再生能源领域，该产品都展现了优良的性能和广泛的应用潜力。该器件不仅能满足当今电源设计的高要求，还确保了能效的提升，助力实现智能化和绿色化的电源管理解决方案。