SPP17N80C3 产品实物图片
SPP17N80C3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SPP17N80C3

商品编码: BM0000288375
品牌 : 
Infineon(英飞凌)
封装 : 
TO220
包装 : 
管装
重量 : 
2.64g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 208W 800V 17A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
16.52
按整 :
管(1管有500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥16.52
--
10+
¥14.24
--
500+
¥13.56
--
10000+
产品参数
产品手册
产品概述

SPP17N80C3参数

漏源电压(Vdss)800V连续漏极电流(Id)(25°C 时)17A
栅源极阈值电压3.9V @ 1mA漏源导通电阻290mΩ @ 11A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)208W类型N沟道

SPP17N80C3手册

empty-page
无数据

SPP17N80C3概述

SPP17N80C3 产品概述

产品介绍

SPP17N80C3是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),由英飞凌(Infineon)公司制造。这款MOSFET特别适合高压、高效率的功率转换和开关应用,广泛应用于工业电源、电机控制、逆变器、照明驱动以及消费者电子等领域。

主要规格

  • 漏源电压(Vdss): 800V
  • 连续漏极电流(Id): 17A(在25°C环境温度下)
  • 栅源极阈值电压: 3.9V @ 1mA
  • 漏源导通电阻: 290mΩ @ 11A, 10V
  • 最大功率耗散(Ta=25°C): 208W
  • 封装类型: TO-220

结构与特性

SPP17N80C3采用TO-220封装,具备良好的散热特性,方便散热器的安装,这使得其在高功率应用中能够维持较低的工作温度。N沟道MOSFET的结构使得其在导通状态下的导通电阻(Rds(on))低,有助于降低开关损耗和导通损耗,从而提升整体能效。

其额定的漏源电压高达800V,使得这个MOSFET能够适用于需要高电压的应用场景。而17A的连续漏极电流则提供了额外的设计灵活性,使其能够处理较大的负载电流。

电气性能

SPP17N80C3的栅源极阈值电压为3.9V,这意味着在输入信号为3.9V的时候,MOSFET开始导通。该值在设计中提供了较高的受到干扰能力,同时确保在驱动信号相对较低的电压情况下仍能够有效开关,保持高效运行。

提到漏源导通电阻290mΩ @ 11A, 10V,这意味着在高电流状态下,该MOSFET可以有效减少功耗,避免因发热而导致的效率下降。这种低导通电阻特性使SPP17N80C3成为高效电源管理和电机驱动控制的理想选择。

应用领域

由于其高电压和高电流的特性,SPP17N80C3可广泛应用于许多领域。下面列出一些主要应用:

  1. 开关电源(SMPS): 在交流与直流转换、反馈回路等场合使用,保证高效率和低待机功耗。
  2. 电机控制: 包括直流电机和步进电机的驱动控制,提供更精确的转速和扭矩控制。
  3. 逆变器: 用于光伏逆变器和其他类型的逆变器中,尤其在高压应用中具有可靠性。
  4. 功率放大器: 在音频放大器中或用于射频应用的放大器中提供高功率输出。
  5. 照明驱动: 大功率LED驱动电路中,确保良好的导通和开关性能,以获取最佳的照明效果。

总结

SPP17N80C3不仅是一款技术前沿的电子元器件,它凭借其高电压额定、低导通电阻和良好的功率耗散特性,在现代电力电子应用中展现出了极大的潜力。通过高效的设计与广泛的应用,SPP17N80C3大大提高了电子设备的性能,适配快速演变的技术需求,成为电源工程师和设计师们的优选器件。无论是在高效电源、工业控制还是高压应用中,SPP17N80C3都能提供出色的性能和可靠性。