漏源电压(Vdss) | 800V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 17A |
栅源极阈值电压 | 3.9V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 290mΩ @ 11A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 208W | 类型 | N沟道 |
产品介绍
SPP17N80C3是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),由英飞凌(Infineon)公司制造。这款MOSFET特别适合高压、高效率的功率转换和开关应用,广泛应用于工业电源、电机控制、逆变器、照明驱动以及消费者电子等领域。
主要规格
结构与特性
SPP17N80C3采用TO-220封装,具备良好的散热特性,方便散热器的安装,这使得其在高功率应用中能够维持较低的工作温度。N沟道MOSFET的结构使得其在导通状态下的导通电阻(Rds(on))低,有助于降低开关损耗和导通损耗,从而提升整体能效。
其额定的漏源电压高达800V,使得这个MOSFET能够适用于需要高电压的应用场景。而17A的连续漏极电流则提供了额外的设计灵活性,使其能够处理较大的负载电流。
电气性能
SPP17N80C3的栅源极阈值电压为3.9V,这意味着在输入信号为3.9V的时候,MOSFET开始导通。该值在设计中提供了较高的受到干扰能力,同时确保在驱动信号相对较低的电压情况下仍能够有效开关,保持高效运行。
提到漏源导通电阻290mΩ @ 11A, 10V,这意味着在高电流状态下,该MOSFET可以有效减少功耗,避免因发热而导致的效率下降。这种低导通电阻特性使SPP17N80C3成为高效电源管理和电机驱动控制的理想选择。
应用领域
由于其高电压和高电流的特性,SPP17N80C3可广泛应用于许多领域。下面列出一些主要应用:
总结
SPP17N80C3不仅是一款技术前沿的电子元器件,它凭借其高电压额定、低导通电阻和良好的功率耗散特性,在现代电力电子应用中展现出了极大的潜力。通过高效的设计与广泛的应用,SPP17N80C3大大提高了电子设备的性能,适配快速演变的技术需求,成为电源工程师和设计师们的优选器件。无论是在高效电源、工业控制还是高压应用中,SPP17N80C3都能提供出色的性能和可靠性。