SISA18ADN-T1-GE3
SISA18ADN-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 38.3A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 7.5mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 19.8W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 38.3A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21.5nC @ 10V | Vgs（最大值） | +20V，-16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 3.2W（Ta），19.8W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SISA18ADN-T1-GE3手册
SISA18ADN-T1-GE3概述
产品概述：SISA18ADN-T1-GE3
基本信息
SISA18ADN-T1-GE3 是一款由威世(VISHAY)公司生产的 N 沟道 MOSFET(场效应管)。该产品专为高效能和高功率应用设计，具有出色的性能指标和可靠性，适用于电源管理、开关电源及驱动电路等多种电子应用。SISA18ADN-T1-GE3 在表面贴装类型的封装中实现了高集成度，适合于紧凑型设计的电路。
主要规格
漏源电压 (Vdss): 30V
该 MOSFET 的漏源电压值为 30V，适合用于低至中等电压的功率管理应用。连续漏极电流 (Id): 38.3A (Tc = 25°C)
在 25°C 的环境温度下，可以承受高达 38.3A 的连续漏极电流，这表明该器件在需要高电流的应用中表现出色。导通电阻 (RDS(on)): 7.5 mΩ @ 10A, 10V
低导通电阻 (7.5毫欧) 确保了在高电流情况下的低功耗损耗，提高了整体能效。栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2.4V @ 250µA
该器件的栅源极阈值电压低至 2.4V，使它能够在较低的驱动电压下开启，从而减少驱动电路的复杂性和功耗。工作温度范围: -55°C ~ 150°C
宽广的工作温度范围使该设备适用于严酷环境条件下的应用，增强了其可靠性。输入电容 (Ciss): 1000pF @ 15V
低输入电容值提高了开关速度，有助于实现更快的开关操作，降低开关损耗。最大功率耗散: 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
器件可以在不同的条件下有效处理功率，提供灵活的设计选项。
封装与应用
SISA18ADN-T1-GE3采用 PowerPAK® 1212-8 封装，此封装设计旨在高效散热和简化布板操作，使其易于在现代表面贴装应用中集成。由于其特性，该 MOSFET 广泛应用于电源转换、功率放大、马达驱动、电池管理和其他需要功率开关的场景中。
驱动与控制
本器件的驱动电压具有灵活性，支持4.5V至10V的驱动电压，使其能够与各类控制芯片及电路兼容。其栅极电荷 (Qg) 最大值为 21.5nC，表明其响应速度快，适合高频应用。
总结
SISA18ADN-T1-GE3 是一款功能强大、适应性强且经验证的 N 沟道 MOSFET，其优越的导通电阻、较高的漏极电流和宽工作温度范围，使其成为能效优化电路设计的理想选择。威世作为电子元器件领域的领先制造商，凭借其优质的产品和良好的客户服务，进一步加强了 SISA18ADN-T1-GE3 在市场中的竞争力。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域，该产品都能够满足客户对于高效能和高可靠性的需求。