SIS413DN-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® 1212-8
包装 :
编带
重量 :
0.176g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.7W；52W 30V 18A 1个P沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
1946(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
2.02按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.02
--
100+
￥1.62
--
750+
￥1.45
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1500+
￥1.37
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SIS413DN-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 18A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 9.4mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 52W(Tc) | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.4 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4280pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），52W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SIS413DN-T1-GE3手册
SIS413DN-T1-GE3概述
产品概述：SIS413DN-T1-GE3
概述
SIS413DN-T1-GE3是一款高性能的P沟道功率MOSFET，型号由知名电子元器件制造商VISHAY（威世）提供，专为要求高效能和高可靠性的电子设备设计。该产品以其优越的电气特性和广泛的工作温度范围而备受青睐，适用于各种功率开关和线性应用场合。
主要规格
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id）: 18A（在25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2.5V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 9.4mΩ @ 15A, 10V
- 最大功率耗散（功耗）: 52W（在Tc下），3.7W（在Ta下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: PowerPAK® 1212-8
- 驱动电压: 4.5V和10V
- 栅极电荷（Qg）: 110nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）: 4280pF @ 15V
- Vgs最大值: ±20V
设计特点
SIS413DN-T1-GE3的设计中考虑了许多关键因素，以确保其在高负载条件下的稳定性与效率。产品采用PowerPAK® 1212-8封装，显著降低了电路设计的占板面积，同时为散热提供了更佳的性能。这种封装还使得器件更易于表面贴装，提高了生产效率和可靠性。
在电气特性方面，该MOSFET提供的低漏源导通电阻(Rds(on))能力使得用户能够在较低的功率损耗下进行高电流驱动，适合用于电源管理系统、高效开关电源和电动汽车应用等领域。
应用领域
SIS413DN-T1-GE3适用于各种电子应用，包括但不限于：
- DC-DC变换器：作为开关元件，维持工作效率与电源稳定性。
- 电源管理：在宽范围电压输入环境中，提供可靠的能量分配。
- 电动机控制：驱动直流电动机，加速反馈确保动态性能。
- 消费电子：提高便携式设备和家用电器的能效。
- 工业自动化：在各种控制和监测系统中保证高效能和稳定性。
性能优势
- 高电流承受能力：18A的连续漏极电流能力，使得SIS413DN-T1-GE3在严苛的应用场景下也能保持稳定运行。
- 低导通电阻：电流流过时的低Rds(on)值极大地减少了热量产生，提高了能效。
- 宽工作温度范围：其能够在-55°C至150°C的范围内稳定工作，使其能够在极端环境中应用。
- 可靠的阈值电压：在设计中具备的2.5V的栅源极阈值电压，使得其能与更低电压的控制信号兼容。
- 易于集成与应用：表面贴装的特性方便了在现代电子设备中的集成，有利于节省空间。
总结
SIS413DN-T1-GE3是VISHAY提供的一款可靠的P沟道功率MOSFET，结合了高性能的电气特性和宽广的工作条件，非常适合在现代电子设计中广泛应用。其卓越的散热能力和低功耗特性，使其在电动汽车、工业自动化、消费电子等领域中都具有极大的使用潜力。选择SIS413DN-T1-GE3不仅能提升产品可靠性，还有助于改善系统整体性能，是开发高效电力系统的理想解决方案。