SIRA06DP-T1-GE3
SIRA06DP-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 栅源电压 Vgss | +20V，-16V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.5 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 77nC @ 10V | Vgs（最大值） | +20V，-16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3595pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 5W（Ta），62.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
SIRA06DP-T1-GE3手册
SIRA06DP-T1-GE3概述
SIRA06DP-T1-GE3 产品概述
SIRA06DP-T1-GE3是一款由威世（VISHAY）公司生产的高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），其设计旨在满足现代电子电路中对高电流和低导通电阻的需求。此MOSFET采用了创新的PowerPAK® SO-8封装，为表面贴装（SMT）应用提供了紧凑的解决方案，并在降温性能和散热管理方面展现出优越的特性。
主要特性
高漏源极电压：SIRA06DP-T1-GE3具有30V的漏源极电压（Vdss），适合用于中等电压的功率管理和开关应用。
高电流处理能力：在25°C的环境温度下，这款MOSFET能够连续承载高达40A的漏电流（Id），适用于高功率电路设计。
低导通电阻：该产品在10V栅源电压（Vgs）和15A漏电流下，其导通电阻（Rds(on)）最大为2.5毫欧。这意味着在工作时能有效减少能量损耗，提高电源效率。
广泛的栅源电压范围：SIRA06DP-T1-GE3的栅源电压范围为+20V至-16V，提供了灵活的驱动选项，适合多种电路设计需求。
高工作温度范围：该MOSFET的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于恶劣环境条件下的应用，确保设备在高温和低温条件下的可靠性。
电气特性
- 输入电容：在15V的条件下，输入电容（Ciss）最大为3595pF，能够在高频应用中提供优良的开关性能。
- 栅极电荷：在10V Vgs下，最大栅极电荷（Qg）为77nC，意味着在高频开关操作时可实现快速响应。
- 开启电压阈值（Vgs(th)）：在250µA电流下，Vgs(th)的最大值为2.2V，可以有效地提供基于逻辑水平的控制。
应用场景
由于其优越的电气特性，SIRA06DP-T1-GE3广泛应用于各个领域，包括但不限于：
- 电源管理：在开关电源和DC-DC转换器中作为开关管使用，确保高效的电能转换。
- 电机驱动：在直流电机和步进电机的驱动电路中，提供快速开关和高电流能力。
- LED驱动：可用于高效的LED驱动电路中，实现精确的电流控制和长寿命。
- 汽车电子：在汽车电气系统中用于功率控制和开关操作，符合汽车工业的严格要求。
散热性能
在功率耗散方面，SIRA06DP-T1-GE3在环境温度下的最大功率耗散为5W，而在晶体管结温下可达62.5W。这使得它在高功率应用中具备优良的散热特性，用户可利用合适的散热措施以进一步提升设备的总体性能和稳定性。
总结
SIRA06DP-T1-GE3是一款高性能的N沟道MOSFET，结合了卓越的电气特性和可靠的工作性能，非常适合用于需要高电流和低导通电阻的各种电子应用。凭借其宽广的工作温度范围和优越的电源效率，成为当今电子电路设计中不可或缺的关键元件。无论是电源管理还是电机驱动，该器件都能为工程师提供灵活且高效的解决方案。选择SIRA06DP-T1-GE3，正是选择了一种优质、可靠并且具有广泛适用性的电子元件。