SIR680DP-T1-RE3
SIR680DP-T1-RE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3.4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 2.9mΩ @ 20A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 104W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.9 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 81nC @ 7.5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5150pF @ 40V | 功率耗散（最大值） | 104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SIR680DP-T1-RE3手册
SIR680DP-T1-RE3概述
SIR680DP-T1-RE3 产品概述
一、基本信息
SIR680DP-T1-RE3 是一款由 VISHAY（威世）公司制造的高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），适用于需处理高功率和高电压的电子应用。这款器件具有优异的电气性能和热性能，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效能电源管理的场合。
二、技术参数
漏源电压（Vdss）: 最高达到 80V，使其适合许多需要中低电压的电源应用。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 时可持续承载高达 100A 的电流，这意味着它能够满足各种电流驱动的需求，特别是在高负荷工作环境下。
导通电阻（Rds On）: 在额定电流（20A）和驱动电压（10V）下，导通电阻为 2.9mΩ，提供了较低的线路损耗，从而提升系统效率，减少能量浪费。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 在 250μA 测试条件下为 3.4V，表明该器件具有较低的开启电压，适合780-820mV的栅压控制，确保在信号处理和开关控制中能灵活应用。
输入电容 (Ciss): 在 40V 时达到 5150pF，反映出其在高频率开关应用下的良好响应能力。
栅极电荷（Qg）: 最大值为 81nC @ 7.5V，这在高速开关应用中意味设备可以快速切换，减少与栅极驱动相关的延迟。
功率耗散: 在 25°C 时的最大功耗可达 104W，优良的热管理能力使其在高功率应用中表现出色。
工作温度范围: 覆盖 -55°C 至 150°C 的工作温度，确保其在苛刻的环境条件下的可靠性。
封装类型: 采用 PowerPAK® SO-8 表面贴装型封装，这种封装方式使得 SIR680DP-T1-RE3 具有更小的占用空间，便于集成于各种电子装置中。
三、应用领域
SIR680DP-T1-RE3 都能在各种高功率应用中提供卓越的性能，典型应用包括：
开关电源: 此器件可以提高开关电源的效率和可靠性，是电力转换和管理的理想选择。
电机驱动: 具备高电流承载能力的 SIR680DP-T1-RE3 适用于电动机控制和驱动电路。
DC-DC 转换器: 可以在步进降压和升压应用中提供有效的电流管理。
电动汽车: 在电池管理和动力系统中，这款MOSFET为电动汽车提供良好的保护和性能。
四、优点和优势
高效能: SIR680DP-T1-RE3 以其低导通电阻和优良的热特性降低了系统能耗。
宽温范围: 严苛的环境适应能力使其适用于广泛的温度条件下的应用。
高兼容性: 设计上兼容大多数通用的电源和驱动电路，便于和现有设备的集成。
小型化设计: 通过 PowerPAK® SO-8 封装，可以实现更小的电路设计，提高面积利用率。
五、结论
SIR680DP-T1-RE3 是一款兼具高性能和良好可靠性的 N 沟道 MOSFET，非常适合在高电流和高电压应用中使用。其出色的电气特性和耐高温的特性，使其在现代电子和电源管理系统中成为一个不可或缺的元件。选择 SIR680DP-T1-RE3，您将受益于其卓越的性能以及相关应用系统的整体提升。