SIR466DP-T1-GE3
SIR466DP-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 40A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 3.5mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 5W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 65nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2730pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 5W（Ta），54W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SIR466DP-T1-GE3手册
SIR466DP-T1-GE3概述
SIR466DP-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SIR466DP-T1-GE3 是由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，此产品采用 PowerPAK® SO-8 表面贴装封装，专为高效能应用而设计。其极佳的电气特性和宽广的工作温度范围使其成为多个电子设计中的理想选择，尤其在电源管理、马达驱动和开关电源等领域表现突出。
二、主要规格
SIR466DP-T1-GE3 的主要电气参数包括：
- 漏源电压（Vdss）：最大 30V，适合于低至中等电压电源管理应用。
- 连续漏极电流（Id）：最大 40A（在 25°C 时），展示了其在高负载条件下的可靠性。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：最低为 2.4V @ 250µA，确保了在低电压时的良好开关特性。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：在 10V 驱动下，15A 时 Rds(on) 为 3.5mΩ，确保了高效能的电流传导并减少功率损耗。
- 最大功率耗散：在环境温度 25°C 下，最大功率耗散为 5W，而在结温 25°C 时则可达到 54W，说明其具有良好的热管理性能。
三、工作条件
SIR466DP-T1-GE3 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，适合各种严苛环境下的应用。这使得该器件特别适合航空航天、汽车以及工业控制系统等要求苛刻的场合。
四、驱动与特性
该 MOSFET 需要通过 4.5V 到 10V 的栅电压进行有效驱动，这对于实现低导通电阻的性能至关重要。栅极电荷（Qg）在 10V 驱动下的最大值为 65nC，保证了快速切换能力和改进的系统性能，降低了开关损耗。
此外，在漏极电压（Vds）改变时，输入电容（Ciss）最大为 2730pF（在 15V 下），有效支持快速开关操作。这些特性使得 SIR466DP-T1-GE3 在高频率应用中表现出色。
五、封装与安装
SIR466DP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装，具有小巧的体积和优异的热管理特性，适合于贴片安装。这种封装不仅有助于提升设备的小型化设计，同时也确保了降低的導通电阻和提升的散热性能。
六、应用领域
由于其优良的电气特性，SIR466DP-T1-GE3 适用于多种应用场合，例如：
- 开关电源：在电源模块中用于高效电源转换。
- 电机驱动：用于各种电机控制电路，提供更高的效率和更少的热量损耗。
- 家用电器：用于功率管理和控制逻辑，提升设备性能。
- 通信设备：在无线通信和数据传输中用于信号放大和开关。
七、总结
SIR466DP-T1-GE3 是一款在性能、热稳定性及可靠性方面都表现优异的 N 沟道 MOSFET，适用于多种工业和消费类应用。凭借先进的封装设计和优异的电气性能，该器件为电源管理、马达控制和其他高频应用提供了强大的解决方案，帮助设计工程师实现更高的能效和系统性能。选择 SIR466DP-T1-GE3，不仅能满足当前的技术需求，还能面对未来更具挑战性的应用环境。