SIDR610DP-T1-GE3

SIDR610DP-T1-GE3 产品概述

产品名称： SIDR610DP-T1-GE3
品牌： VISHAY (威世)
类型： N沟道 MOSFET
封装： PowerPAK® SO-8DC

引言

SIDR610DP-T1-GE3 是一种高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，专为高电压和高电流应用而设计。凭借其出色的导通电阻、电流承载能力以及极广的工作温度范围，该产品在市场上具有广泛的应用前景。特别适合用于电力转换、开关电源和电机驱动等领域。

关键参数

• 最大导通电阻 (Rds(on))： 31.9 毫欧 @ 10A, 10V。这一低导通电阻使得 MOSFET 在高载流条件下表现出良好的导通特性，有助于降低功耗和提高系统效率。
• 最大漏极电流 (Id)： 8.9A (工作温度 Ta)，39.6A (冷却温度 Tc)。这一特性使得该器件能够适应多变的应用环境，在短时间内承受更高的电流。
• 漏源电压 (Vds)： 200V，能够处理高电压应用的要求，保证了在高压环境下的可靠性。
• 输入电容 (Ciss)： 1380pF @ 100V，适用于快速切换场合，降低了驱动电路的复杂性和功耗。
• 功率耗散 (Pd)： 6.25W (环境温度 Ta)，125W (冷却条件 Tc)，这个特性保证了器件在高功率应用中仍然能够稳定运行。

工作特性

SIDR610DP-T1-GE3 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于极端环境条件下的应用。这种广泛的温度适用性确保了其在航空航天、汽车、工业控制等场合的应用能力。

电压驱动范围方面，Vgs 的最大值为 ±20V，而驱动电压在最小 Rds(on) 为 7.5V，最大则为 10V，有助于提高系统的灵活性和兼容性。

其栅极电荷 (Qg) 最大值为 38nC @ 10V，能够满足快速开关操作的要求，进一步提升开关频率和系统响应能力。

应用场景

SIDR610DP-T1-GE3 设计用于各种要求苛刻的电力电子应用场合，包括：

• 开关电源 (SMPS)： 其低导通电阻和高效率特点，使其成为高效开关电源的理想选择，能够有效降低能量损失并提升整机效率。
• 电机控制： 在电机驱动电路中，能够有效控制电流流动，以实现高效控制和调速。
• 电池管理系统： 在高压大电流环境下，SIDR610DP-T1-GE3 的优越性能确保电源的可靠性和稳定性。
• 汽车电子： 其高工作温度和耐压能力使其适用于汽车的电源管理和控制系统。

总结

SIDR610DP-T1-GE3 是一款具有极高可靠性和有效能的 N 沟道 MOSFET，凭借其卓越的电气性能和广泛的应用适用性，使其成为电力电子设备发展的重要推动力。其优秀的导通性能和高电流承载能力，确保用户能够在各种应用场景中获得理想的电气性能。选择 SIDR610DP-T1-GE3，将是追求高效、可靠和经济解决方案的理想选择。