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SI9945BDY-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
0.248g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.1W 60V 5.3A 2个N沟道 SO-8
库存 :
471(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
3.01按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.01
--
100+
￥2.32
--
1250+
￥2.01
--
2500+
￥1.9
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25000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI9945BDY-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.3A | 漏源导通电阻 | 72mΩ @ 3.9A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3.1W | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.3A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 58 毫欧 @ 4.3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 665pF @ 15V | 功率 - 最大值 | 3.1W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SO |
SI9945BDY-T1-GE3手册
SI9945BDY-T1-GE3概述
产品概述：SI9945BDY-T1-GE3
概述
SI9945BDY-T1-GE3 是一款高性能的双 N 沟道场效应管（MOSFET），由著名电子元器件供应商 VISHAY（威世）生产。该元件专为高效能电源管理和开关应用而设计，具有出色的性能和可靠性。作为一款表面贴装型（SMD）器件，SI9945BDY-T1-GE3广泛应用于各类电子设备中，适合包括实现低功耗、高效率的电源和驱动电路。
主要参数
漏源电压 (Vdss): 60V
- 该参数表示MOSFET能够承受的最大漏源电压，适合在中等电压的应用场景中工作。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 3V @ 250µA
- 该阈值电压表明MOSFET在栅源电压达到这个值时导通，非常适合逻辑电平控制的应用。
连续漏极电流 (Id): 5.3A (25°C)
- 表明在环境温度为25°C时，该器件能够持续承载的最大电流，适合需要稳定电流输出的应用。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 72mΩ @ 3.9A, 4.5V
- 显示了MOSFET在导通状态下的电阻，电阻越小，导通过程中的能量损耗越低，提升了系统的整体效率。
最大功率耗散: 3.1W (Ta=25°C)
- 指MOSFET在25°C环境温度下，能安全散发的最大功率，显示了该器件的散热能力。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 广泛的工作温度范围，适合各种严苛的使用条件，从消费电子到工业设备都能适用。
封装类型: 8-SO
- 该元件采用的是表面贴装型（SOIC-8封装），便于在现代电路中进行高密度布局。
栅极电荷 (Qg): 20nC @ 10V
- 描述了驱动电路需要提供的电荷量，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度，适用于高频开关应用。
输入电容 (Ciss): 665pF @ 15V
- 该参数表明MOSFET在输入端的电容特性，影响开关速度与驱动电流需求。
应用场景
SI9945BDY-T1-GE3 的设计使其特别适合多种应用，包括但不限于：
- 电源管理: 作为开关电源中的开关元件，能够帮助实现高效能的电力转换。
- 处于逻辑电平控制的场合: 由于其低阈值电压，适合与微控制器直接连接，实现精确的开关控制。
- 蓄电池管理系统: 在需要高效能和稳定电流的充放电管理中，该 MOSFET 的性能能够确保系统的可靠性。
- 电机驱动: 适合用于直流电机或步进电机的驱动控制，提供精准的控制和较高的效率。
结论
SI9945BDY-T1-GE3 是一款功能强大、性能卓越的双 N 沟道 MOSFET，凭借其优越的电气特性和广泛的工作温度范围，能够满足严苛的应用需求。无论是在消费电子、工业设备还是其他高性能电子系统中，该元件均能表现出色，为设计师提供灵活的电源管理解决方案。对于追求高效率、高可靠性的产品设计，SI9945BDY-T1-GE3无疑是一个理想选择。