SI9933CDY-T1-GE3
SI9933CDY-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 栅源极阈值电压 | 1.4V @ 250uA |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A | 漏源导通电阻 | 58mΩ @ 4.8A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3.1W | 类型 | 双P沟道 |
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 58 毫欧 @ 4.8A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 26nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 665pF @ 10V | 功率 - 最大值 | 3.1W |
| 工作温度 | -50°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商器件封装 | 8-SO |
SI9933CDY-T1-GE3手册
SI9933CDY-T1-GE3概述
产品概述：SI9933CDY-T1-GE3
SI9933CDY-T1-GE3 是一款来自 VISHAY（威世）的双 P 沟道场效应管（MOSFET），它以其优异的电气特性和广泛的应用场合取得了良好的市场表现。这款 MOSFET 采用了先进的制造工艺，封装形式为 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽），适用于潮湿和高温环境下的主流电子设备。
关键技术参数
漏源电压（Vdss）：SI9933CDY-T1-GE3 的漏源电压为 20V，适应于较低电压的应用场景。这种电压等级使其能够在多种电压环境下正常工作，满足电子电路对电源管理的基本需求。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：1.4V @ 250µA，意味着在电流为 250µA 的情况下，栅源电压达到 1.4V 时 MOSFET 开始导通。这一特性保证了在逻辑电平条件下能够快速有效地驱动。
连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境条件下，SI9933CDY-T1-GE3 的最大连续漏极电流可达到 4A，这使其在功率放大和负载驱动应用中表现出色。
漏源导通电阻：在 4.8A 和 4.5V 条件下，导通电阻最大值为 58mΩ，显示出其良好的低导通损耗特性，提高了工作效率并降低了热量产生。
功率耗散：最大功率耗散为 3.1W，说明在持续工作条件下，该元器件能够有效地处理功率，减少热量对电路性能的影响，并稳定地维持电路的正常运行。
工作温度范围：产品的工作温度范围为 -50°C 到 150°C，极宽的温度范围确保了其在严酷环境条件下的稳定性，适合用于汽车、工业控制和电源电路等应用领域。
应用领域
SI9933CDY-T1-GE3 的设计使其适用于广泛的应用领域，包括但不限于：
- 电源管理：用于 DC-DC 转换器、稳压电源等场合，提升电路的开关效率和整体性能。
- 驱动电路：适合用于马达驱动、继电器驱动等场景，能够提供高于标准使用条件的驱动能力。
- 逻辑电平控制：由于其低栅源极阈值电压，特别适合数字电路驱动，良好的开关特性使其在高速控制信号传输中表现出色。
- 汽车电子：作为一种高效的开关器件，广泛用于汽车电子系统，能够应对极端工作环境。
总结
SI9933CDY-T1-GE3 是一款性能优良的双 P 沟道 MOSFET，设计专为满足高效能和多用途需求而定制。其在漏源电压、连续漏极电流、低导通电阻以及广泛的工作温度范围等方面的卓越性能，使其成为现代电子设计中重要的元器件之一。无论是在电源管理、驱动电路，还是在各类电子控制系统中，SI9933CDY-T1-GE3 都能提供高效、可靠的解决方案，是您设计中不可或缺的关键元件。