SI7938DP-T1-GE3

SI7938DP-T1-GE3 产品概述

一、产品简介

SI7938DP-T1-GE3是一款由VISHAY（威世）公司生产的高效能双N通道MOSFET。该产品封装为PowerPAK® SO-8双封装，专为高功率和高频率应用而设计，其电气性能卓越，适合多种工业和消费类电子设备的需求。

二、主要特性

1. 电气参数：

   • 漏源极电压（Vdss）： SI7938DP-T1-GE3的漏源电压高达40V，确保在许多工作条件下都能保持稳定的性能。
   • 连续漏极电流（Id）： 在推荐的工作条件下，这款MOSFET可以承受高达60A的连续漏极电流，适合高负载应用。
   • 导通电阻（Rds(on)）： 在18.5A、10V的条件下，最大导通电阻为5.8毫欧，低导通电阻意味着在工作时可有效减少功耗与发热。
   • 门极电荷（Qg）： 在10V条件下，最大门极电荷为65nC，确保快速的开关响应，有助于提高系统效率。

2. 温度范围：

   • 工作温度范围为-55°C至150°C，这使得SI7938DP-T1-GE3适用于极端环境条件下的可靠操作，广泛应用于汽车电子、工业控制及消费电子等领域。

3. 封装与安装：

   • 封装类型： 采用PowerPAK® SO-8双封装，具有良好的散热性能及强大的机械强度，适合表面贴装(SMT)技术的自动化生产流程。
   • 安装类型： 该元器件使用表面贴装方式，便于自动焊接，适合现代大规模生产的需求。

三、应用领域

SI7938DP-T1-GE3的优异特性使其在多个领域都有广泛的应用：

• DC-DC 转换器： 由于其高效率与低功耗，适合用于开关电源的高效转换。
• 电动工具： 在电动工具中，此MOSFET可用于提供高电流的驱动，保证工具的强大动力输出。
• 电动车辆： 其耐高温及高电流特性使其成为电动车电池管理系统的理想选择。
• 消费电子产品： 用于电脑、电视等设备的供电管理中，以提高电源的转换效率。

四、竞争优势

SI7938DP-T1-GE3相较于市场上其他同类产品，具备以下竞争优势：

• 高电流承载能力，适用于对电流需求较高的应用场景。
• 低导通电阻，在大电流下仍能保持低功率损耗，降低系统热量产生。
• 广泛的工作温度范围，适合多种行业及环境条件，有助于提升系统的整体可靠性。
• 易于焊接的封装形式，为制造商提供灵活的设计和生产解决方案。

五、总结

SI7938DP-T1-GE3是VISHAY公司推出的一款高性能双N通道MOSFET，具有卓越的电气参数和稳定的工作温度范围，是现代高效电源设计及驱动应用的理想选择。该产品支持广泛应用，能够满足行业对高电流与高效率的需求，为设计工程师提供了更多的设计自由度和创新空间。