SI7463ADP-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SO-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 5W；39W 40V 46A 1个P沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
19325(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
3.55按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.55
--
100+
￥2.96
--
750+
￥2.75
--
1500+
￥2.61
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7463ADP-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | FET类型 | P沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 40V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 46A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 144nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4150pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 5W（Ta），39W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
SI7463ADP-T1-GE3手册
SI7463ADP-T1-GE3概述
产品概述：SI7463ADP-T1-GE3
概述
SI7463ADP-T1-GE3 是一款由威世（Vishay）制造的高性能 P 沟道 MOSFET，采用 PowerPAK® SO-8 封装。这款 MOSFET 适用于各种要求高电流和低导通电阻的应用场景，尤其在功率管理和电源转换领域具有显著优势。
主要特性
封装类型和尺寸：该器件使用 PowerPAK® SO-8 封装，这种小型表面贴装设计有助于提高电路板的空间利用率，适合于现代微型电子设备。
电气参数：
- 漏源极电压（Vdss）：最大承受电压为 40V，使其可广泛应用于电源开关和负载驱动。
- 最大连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境温度下，连续漏极电流可达到 46A，适合高功率应用。
- 导通电阻（Rds On）：在 10V 驱动电压下，最大导通电阻为 10 毫欧，极低的导通电阻可以显著降低能量损耗和发热。
- 栅源电压（Vgs）：最大栅源电压容忍度为 ±20V，使其适用于多种控制信号。
驱动电压：该管子在 4.5V 和 10V 驱动电压下表现出色，提供灵活性，适应不同的驱动条件。
栅极电荷（Qg）：在 10V 驱动下，栅极电荷为 144nC，表明转导效率高，从而提高开关速度，适合应用于高频场景。
输入电容（Ciss）：在 20V 时，最大输入电容为 4150pF，保证了快速的响应时间和高效的驱动能力。
功率耗散：在环境温度下，该器件的最大功率耗散为 5W，而在结温下可达到 39W，有效避免了因为发热造成的器件损坏。
工作温度范围：该 MOSFET 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，适合在极端环境中稳定运行，增加了设计的灵活性。
应用场景
SI7463ADP-T1-GE3 MOSFET 适用于多种高效能电源管理和控制的需求，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 电动车辆（EV）和混合动力电动车辆（HEV）中的电力转换单元
- 电池管理系统（BMS）
- DC-DC 转换器
- 电机驱动器
- 负载开关和实现电源切换的电子电路
结论
SI7463ADP-T1-GE3 MOSFET 结合了高功率处理能力、低导通电阻和广泛的适用环境，使其成为现代电子设计中不可或缺的元件。其优异的电气性能和可靠性不仅提升了整体电路的效率，还确保在严苛条件下的稳定性和持续的性能，极大地满足了市场对高效能元器件的需求。对于需要高效能、高可靠性电子设计的工程师来说，SI7463ADP-T1-GE3 是非常值得信赖的选择。