SI7461DP-T1-GE3
SI7461DP-T1-GE3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14.5 毫欧 @ 14.4A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.6A（Ta） | FET 类型 | P 通道 |
| Vgs（最大值） | ±20V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 190nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
SI7461DP-T1-GE3手册
SI7461DP-T1-GE3概述
产品概述：SI7461DP-T1-GE3 MOSFET
概述
SI7461DP-T1-GE3 是一个高性能的 P 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），由全球知名的电子元器件制造商 VISHAY（威世）提供。该器件采用 PowerPAK® SO-8 封装，专为需要高效电源管理和快速开关的应用设计。其优越的电气特性和广泛的应用范围，使其成为现代电子设计中不可或缺的选择。
主要参数
安装类型: SI7461DP-T1-GE3 是一种表面贴装型元件，适合进行自动化焊接和高密度组装，满足现代电子设备的小型化需求。
导通电阻（Rds(on））: 在 Vgs 为 10V、Id 为 14.4A 条件下，最大导通电阻为 14.5 毫欧。这一低阻值确保了器件在开关过程中迅速导通，降低了功耗和发热。
驱动电压: 支持的最小驱动电压为 4.5V，最大可达 10V，适应多种产品设计要求，确保在较低的栅极驱动电压下也能实现良好的开关性能。
电流承受能力: 在环境温度为 25°C 时，该 MOSFET 的最大连续漏极电流（Id）可达到 8.6A，保证了其在多种负载条件下都能稳健运行。
功率耗散: 最大功率耗散值为 1.9W，能够有效地管理发热，避免器件在高负载情况下产生过热，从而延长使用寿命。
工作温度范围: SI7461DP-T1-GE3 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，广泛的温度适应性使其非常适合于汽车和工业控制等苛刻的环境条件。
栅极电荷（Qg）: 在 Vgs 为 10V 时，栅极电荷的最大值为 190nC，大大降低了驱动电路的功耗，使得系统设计更加高效。
漏源电压（Vds）: 该器件的漏源电压（Vdss）为 60V，满足了对电压要求的高标准，适用于多种电源转换和电机驱动应用。
应用场景
SI7461DP-T1-GE3 的特性使其适用于多个应用领域，包括但不限于：
- 电源管理: 该MOSFET可用于 DC-DC 转换器、开关电源等，提供稳定的电压输出和高效的电能转换。
- 负载开关: 可部署在各种负载开关电路中，有效控制电流的启停，增加系统灵活性。
- 电机驱动: 在电机驱动应用中，其足够的电流承受能力和快速开关特性，可用于DC电机和步进电机的控制。
- 汽车电子: SI7461DP-T1-GE3 的高工作温度范围和较强的抗扰能力，使其适合应用于汽车电子控制单元。
总结
VISHAY 的 SI7461DP-T1-GE3 MOSFET 是一款性能优秀的 P 沟道场效应管，凭借其卓越的电气性能和可靠的工作特性，广泛应用于多个电子产品的电源管理和控制领域。对于设计工程师而言，选择这款 MOSFET 将有效提升产品性能，优化整体功率效率，同时在各种应用场景下都能保证稳定可靠的运行。无论是在高效的电源转换、智能家居、工业控制，还是在汽车电子等严苛环境下，SI7461DP-T1-GE3 都是值得信赖的方案选项。