SI7456DP-T1-E3
SI7456DP-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.7A | 漏源导通电阻 | 25mΩ @ 9.3A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.9W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.7A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 9.3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 44nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SI7456DP-T1-E3手册
SI7456DP-T1-E3概述
产品概述: SI7456DP-T1-E3
1. 概述
SI7456DP-T1-E3 是一款高性能N沟道MOSFET，由威世半导体（Vishay）制造，专为高效率和高密度的电子设备设计。该器件的重要参数包括100V的漏源电压（Vdss）、5.7A的连续漏极电流（Id）、以及低至25mΩ的漏源导通电阻。这款MOSFET适用于广泛的应用场景，包括DC-DC转换器、高频开关电源、马达驱动以及电动车辆等领域。
2. 关键参数
漏源电压（Vdss）: 该MOSFET的最大漏源电压为100V，使其能够在较高电压应用中稳定运行。在许多电源和驱动电路中，能够承受的电压是选择FET的关键指标。
连续漏极电流（Id）: SI7456DP-T1-E3在25°C环境温度下最大可承载的连续漏极电流为5.7A。这意味着在正常工作条件下，器件可持续保持较高的负载能力，适用于需要稳定电流供给的场合。
导通电阻（Rds(on)）: 在9.3A和10V的驱动电压下，该FET的导通电阻为25mΩ。低导通电阻保证了MOSFET在导通时的热损耗降低，提高了电源转换的效率。
阈值电压（Vgs(th)）: 当栅源电压达到4V时，MOSFET会开始导通，这使得其控制电路能够在较低电压下实现操作，便于与现代低电压数字逻辑电路的兼容。
功率耗散（Pd）: 该器件的最大功率耗散为1.9W，确保在高负载条件下MOSFET仍能稳定工作。这对于电源管理非常重要，过高的功率损耗将导致器件过热，影响其寿命。
3. 应用领域
SI7456DP-T1-E3广泛应用于各种电力电子设备中，其应用包括但不限于：
开关电源: 在DC-DC转换器和AC-DC适配器中，MOSFET常用作开关元件，能够实现高效率的电能转换。
马达驱动: 由于其高电流承载能力和快速的开关特性，该MOSFET可以用于电动机的控制和驱动，提升性能及响应速度。
电源管理: 在智能电源系统和电池管理系统中，MOSFET用于提供合理的电流流动和保护功能，保障系统的稳定。
汽车电子: 该器件的宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C）使其非常适合在严苛的汽车环境中使用，诸如电动汽车的动力控制系统。
4. 封装与安装
SI7456DP-T1-E3采用PowerPAK® SO-8封装，具有小巧紧凑的结构，适合表面贴装（SMD）技术。其优越的热性能和小体积适合高密度电路板设计，使其在空间有限的条件下能够实现良好的散热效果及电气性能。
5. 可靠性与环境适应性
SI7456DP-T1-E3具有优异的耐温能力 (-55°C至150°C)，使其在极端环境下仍能保持稳定的运行性能，这一点特别适用于航空航天、工业控制及汽车电子领域。使用MOSFET的工程师和设计师可以得到高度的信心，以确保产品在严酷条件下依然可靠稳定。
6. 总结
总而言之，SI7456DP-T1-E3是一款功能强大、灵活性高的N沟道MOSFET，其出色的电气特性和可靠性使其成为现代电子设计中不可或缺的元件。无论是在寻求低功耗、高效率的电源解决方案，还是在要求严格的工业和汽车应用中，威世的SI7456DP-T1-E3都能够提供卓越的性能支持。