SI7431DP-T1-GE3
SI7431DP-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.2A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 174mΩ @ 3.8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.9W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.2A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 174 毫欧 @ 3.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 135nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SI7431DP-T1-GE3手册
SI7431DP-T1-GE3概述
产品概述：SI7431DP-T1-GE3 P沟道MOSFET
引言
SI7431DP-T1-GE3是一款高性能的P沟道MOSFET，适用于各类电力转换和开关应用。它的设计特别适合高压和中等电流的场合，尤其在需要高效率和高可靠性的电路中，表现出色。该器件由知名品牌VISHAY（威世）生产，采用了先进的金属氧化物薄膜技术，展现出优良的电气性能和热特性。
关键参数
漏源电压（Vdss）: 200V 最大漏源电压使其能够华自适应较高的电源电压，从而适于多种应用，如功率放大器、逆变器及驱动电路。
连续漏极电流（Id）: 25°C时可承载2.2A的连续漏极电流，适合于负载电流不超过该值的应用场合。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该参数为4V @ 250µA，表明在较低的栅供电电压下能够成功导通，提供更好的控制和灵活性。
漏源导通电阻: 在栅电压10V和电流3.8A的条件下，该器件的漏源导通电阻为174mΩ，极低的Rds(on)数值确保了更高的效率和更低的热损失。
功率耗散: 在环境温度为25°C时，该元器件的最大功率耗散为1.9W，这使得其可在要求严格的环境中稳定工作。
工作温度范围
该MOSFET支持的工作温度范围为-55°C至150°C，使其非常适合苛刻环境下的应用。无论是高温还是低温环境，该器件均能保持优良的性能表现，保证其在工业、汽车及消费电子产品中的长时间稳定工作。
封装与构造
SI7431DP-T1-GE3采用PowerPAK® SO-8封装，具有较小的体积和良好的散热性能，非常适合表面贴装技术（SMT），强调了现代电子设备对空间利用率和散热要求的高标准。
应用场景
SI7431DP-T1-GE3广泛应用于以下几个领域：
电源管理：在开关电源和电压转换器中作为主开关器件，帮助转化电能并改善系统的能效。
汽车电子：由于其卓越的热性能，适用于电动车辆和传统汽车的驱动系统和动力管理单元中。
工业设备：可在电机控制、电力优化和其他需要高承载能力的工业应用中使用。
消费电子：应用于智能手机、平板电脑等便携式电子产品的电源管理，以提高电池效率和延长使用寿命。
总结
SI7431DP-T1-GE3是一款功能强大且高效的P沟道MOSFET，凭借其卓越的电性能、广泛的工作温度范围以及小巧的封装设计，完美地满足了现代电子设备对高效能和小型化的多种需求。凭借其在多种应用中的可靠性和灵活性，成为了在电源管理和控制领域不可或缺的组件。无论是在严酷的工业环境，还是在传统的消费市场，该器件都能确保高效的电力传输和管理，助力于更智能、更节能的产品设计。