SI7178DP-T1-GE3

SI7178DP-T1-GE3 产品概述

SI7178DP-T1-GE3 是由威世（VISHAY）公司提供的一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 PowerPAK® SO-8 封装。该器件专为需要高功率和效率的应用场景而设计，具有优异的热管理性能和电气特性。其主要特点和规格如下。

关键参数

1. 封装与安装类型： SI7178DP-T1-GE3 使用表面贴装（SMT）技术的 PowerPAK® SO-8 封装。该封装结构紧凑，适合各种小型电子设备，确保在空间有限的环境中实现高效装配。

2. 电气规格：

   • 漏源极电压（Vdss）：该 MOSFET 的最大漏源极电压为 100V，适合于大多数中低压应用。
   • 连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境温度下，SI7178DP-T1-GE3 的最大连续漏极电流可达到 60A，确保其在高负载状态下的稳定性。
   • 导通电阻（Rds On）：在 10A 和 10V 的工作条件下，最大导通电阻可为 14 毫欧，意味着该器件在开启状态下的能量损耗极小，能够提高整体系统的效率。

3. 栅极驱动特性：

   • 栅源电压（Vgs）：该器件允许的最大栅源电压为 ±20V，给用户在不同驱动电平下提供了灵活性。
   • 栅极阈值电压（Vgs(th)）：在 250 µA 的电流下，Vgs(th) 的最大值为 4.5V，保证了 MOSFET 在低电压下即可高效开启。
   • 栅极电荷（Qg）：在 10V 驱动电压下，栅极电荷为 72nC，这意味着在开关过程中能够实现快速的响应时间和低驱动功耗。

4. 输入和输出电容：

   • 输入电容（Ciss）：在 50V 的工作电压下，输入电容为 2870pF，这有助于提高开关速度和整体电路性能。

5. 功率耗散：

   • 最大功率耗散：在环境温度下，SI7178DP-T1-GE3 可处理最大 6.25W 的功率，空间温度条件下可达到 104W，显示了该器件优越的热特性，适合于高负载应用场景。

6. 工作温度范围：

   • 温度特性：工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C（结温），使其适用在极端环境下的各类电子设备中。

应用场景

由于 SI7178DP-T1-GE3 的高性能特性和可靠性，它广泛应用于以下几个领域：

• 电源管理：可以用于电源开关、DC-DC 转换器及其相应控制电路。
• 电动工具：在高功率电动工具中，可以作为驱动元器件用于控制电机。
• 电池管理：在电池充放电控制电路中，具有优良的功率性能，为提高系统效率出力。
• 自动化设备：适合各种自动化和工业控制中的功率管理解决方案，提高设备的运行效率和延长系统的使用寿命。

结论

综上所述，SI7178DP-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的电气特性和广泛的应用适应性，成为电源管理和高功率应用中不可或缺的重要元件。无论是在工业、消费电子设备还是自动化领域，威世的这一产品都能够满足严格的性能要求，助力设计师构建高效可靠的电源系统。