SI7137DP-T1-GE3
SI7137DP-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | FET类型 | P沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V | 栅源电压 Vgss | ±12V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.95 毫欧 @ 25A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 585nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 20000pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 6.25W（Ta），104W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
SI7137DP-T1-GE3手册
SI7137DP-T1-GE3概述
SI7137DP-T1-GE3 产品概述
产品简介
SI7137DP-T1-GE3 是一款高性能 P 型 MOSFET，采用了先进的 PowerPAK® SO-8 封装。它由全球知名的电子元件制造商 VISHAY（威世）生产，能够满足在多种应用中对高效能和高可靠性的需求。这款 MOSFET 专为需要在受限空间中实现高电流和低导通电阻的应用场景而设计，非常适合用于电源管理、负载开关和其他高效能电路。
技术规格
封装和外壳:
- 封装类型: PowerPAK® SO-8
- 安装类型: 表面贴装（SMT）
电气参数:
- FET 类型: P 沟道
- 漏源极电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流 (Id) @ 25°C: 60A
- 栅源电压 (Vgss): ±12V
- 最大 Rds(On) 导通电阻: 1.95 mΩ @ 25A，10V
- Vgs(th)（阈值电压）: 1.4V @ 250µA
电气特性:
- 驱动电压（最小 Rds On）: 2.5V（合理的门极驱动电压）
- 门极电荷 (Qg)：585nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss)：20000pF @ 10V
- 功率耗散: 6.25W（环境温度 Ta），104W（结温 Tc）
工作环境:
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
应用领域
SI7137DP-T1-GE3 的设计使其非常适合用于以下应用场景：
电源管理: 其低导通电阻和高电流承载能力使得其在 DC-DC 转换器、稳压电源以及蓄电池管理系统中极具竞争力。
负载开关: 在各种电子设备中，用于控制电源开关和负载的切换，能够提升系统的整体效率。
高效电机驱动: 由于其出色的电流处理能力和迅速的开关特性，这款 MOSFET 可以在电机驱动电路中提供稳定的性能。
高频开关电源: 在开关电源设计中，可以实现更高的开关频率，提升总体的系统效率。
技术优势
高效能: 采用先进的 MOSFET 技术，该器件具备低导通电阻和高效能的特性，可以显著降低能量损耗。
耐高温性能: SI7137DP-T1-GE3 的工作温度范围宽，从-55°C 到 150°C，能够在极端环境下稳定工作。
高集成度与小封装: PowerPAK® SO-8 封装为设计工程师提供了小型化解决方案，有效节省PCB空间，同时保持卓越的散热性能。
设计灵活性: 提供了多种驱动电压及阈值电压，使其能够根据不同的应用需求进行灵活设计。
总结
VISHAY SI7137DP-T1-GE3 是一款符合现代电子设备对高性能和高可靠性需求的 P 沟道 MOSFET。其以卓越的电气特性、良好的工作范围以及广泛的应用适应能力，为在电源管理、高频开关电源、以及负载开关等领域的设计提供了强有力的支持。无论是在消费电子、工业设备还是汽车电子领域，SI7137DP-T1-GE3 都是实现高效能设计的理想选择。