SI6423DQ-T1-E3
SI6423DQ-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8.2A |
| 栅源极阈值电压 | 800mV @ 400uA | 漏源导通电阻 | 8.5mΩ @ 9.5A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.05W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.2A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.5 毫欧 @ 9.5A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 400µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 功率耗散（最大值） | 1.05W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
SI6423DQ-T1-E3手册
SI6423DQ-T1-E3概述
SI6423DQ-T1-E3 产品概述
产品简介
SI6423DQ-T1-E3 是一款高性能的 P 字型场效应晶体管（MOSFET），由威世（VISHAY）公司推出，专为满足现代电子产品和电源管理系统的需求而设计。此器件采用 8-TSSOP 封装，具有优异的电气特性和热性能，适用于各类电子设备中，尤其在功率开关、负载驱动和电源管理应用领域表现出色。
基本参数
- 漏源电压（Vdss）: 12V
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 条件下可达 8.2A
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 800mV @ 400µA，确保MOSFET能够在较低的驱动电压下达到有效开关。
- 漏源导通电阻（Rds On）: 8.5mΩ @ 9.5A 和 4.5V，表明在导通状态下其损耗极低，能有效提升系统的能效。
- 最大功率耗散（P）: 1.05W（在Ta=25°C 条件下）。
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C，使其在严苛环境下保持高效工作。
- 安装类型: 表面贴装型，便于高密度电路板设计。
技术特性
SI6423DQ-T1-E3 的 P 类型 MOSFET 特性使其适合用于直流电源转换、开关电源、马达驱动、LED 驱动以及其他可能需要高可靠性和高效能的应用场合。其低导通电阻和相对较高的漏极电流能力，使得该器件不仅可以在较低的电压下运行，还能在高频率和高效率下工作。
驱动电压
该器件支持多种驱动电压，最小 Rds On 值在 1.8V 和 4.5V 时均能提供优异的导通特性，为电路设计者提供了灵活性。此特性使得 SI6423DQ-T1-E3 可用于不同的电源电压设计，无论是低电压还是标准的电压应用。
栅极电荷与动态特性
在 Vgs 为 5V 时，栅极电荷（Qg）最大为 110nC。较低的栅极电荷帮助在较高频率操作时减小开关损失，提升系统效率，适合开关频率较高的应用场景。这一特性特别适合在需要快速开关的高频逆变器和转换器电路中使用。
封装与应用
SI6423DQ-T1-E3 采用 8-TSSOP 封装，封装尺寸为 0.173"（4.40mm 宽），使得该器件便于在空间受限的板上安装。该器件不仅适合单个负载驱动，还可串联或并联使用，以支持更复杂的电路设计和高功率应用。这种灵活的封装选择使得 SI6423DQ-T1-E3 在便携式设备、电动工具、消费电子产品等领域都有广泛的应用前景。
应用场景
此 MOSFET 适合的典型应用场景包括：
- 电源管理模块
- 开关电源（SMPS）
- LED 驱动电路
- 动态负载开关
- 电动汽车的电池管理系统
- 电机驱动和控制电路
- 家电和工业控制系统
总结
SI6423DQ-T1-E3 是一款极具竞争力的 P 字型 MOSFET，凭借其低导通电阻、高电流能力和宽温工作范围，成为设计工程师在高效电源和负载控制中的首选元器件。无论是在对功率、效率和空间要求苛刻的应用中，该器件都能有效满足需求，为用户提供可靠且高效的解决方案。