SI4848DY-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
0.256g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.5W 150V 2.7A 1个N沟道 SO-8
库存 :
59064(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
3.04按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.04
--
100+
￥2.34
--
1250+
￥2.03
--
2500+
￥1.92
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25000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4848DY-T1-GE3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 85 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| Vgs（最大值） | ±20V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 150V |
| 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA（最小） |
SI4848DY-T1-GE3手册
SI4848DY-T1-GE3概述
SI4848DY-T1-GE3 产品概述
概述
SI4848DY-T1-GE3 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用表面贴装(SMD)封装，并依据现代电子设备的需求，提供出色的电性能和可靠性。该器件由知名品牌 VISHAY（威世）制造，适用于多种应用场景，包括电源管理、开关电路和功率放大器等。
主要参数
- 类型: N 沟道 MOSFET
- 安装方式: 表面贴装型 (SMD)
- 封装: 8-SO (Small Outline)
- 最大漏源电压(Vdss): 150V
- 连续漏极电流(Id): 2.7A (在 25°C 的环境温度下)
- 最大功率耗散: 1.5W (在 25°C 的环境温度下)
- 导通电阻(Rds On): 最大 85 毫欧 @ 3.5A，10V
- 栅极驱动电压(Vgs): 6V（最小 Rds On）至 10V（最大 Rds On）
- 栅极电荷(Qg): 最大 21nC @ 10V
- 閘源电压(Vgs): ±20V（最大值）
- Vgs(th)（阈值电压）: 最大 2V @ 250µA（最小）
工作温度
SI4848DY-T1-GE3 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，这使得该元件在极端环境下也能保持良好的性能，适合用于航空航天、汽车电子以及工业控制等应用领域。
性能与应用
SI4848DY-T1-GE3 的设计使其具备优异的热管理特性和较低的导通电阻，使其在高频及高效的电源转换应用中表现出色。其最大 150V 的漏源电压，使其可以在较高电压的操作环境中使用，适合各种电源电路。
在电源管理方面，该MOSFET可以用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电池管理系统中，通过高效的开关能力来降低能量损失，从而提升整体能源效率。由于其较低的 Rds On，SI4848DY-T1-GE3 在为负载供电时可以有效降低发热，进一步提升设计的可靠性和稳定性。
设计优势
- 高效率: Rds On 值低的特点使得 MOSFET 在开关时损耗少，从而提高了能源利用率。
- 广泛的工作温度: 可适应多种苛刻环境，确保长期稳定运行。
- 小型化设计: SO-8 封装为设计提供了优越的空间利用率，为小型电子组件的设计提供了灵活性。
结论
SI4848DY-T1-GE3 MOSFET 是一款极具竞争力的高性能电子元器件，适用于需要高电压和电流处理能力的多种电子应用。无论是用于开关电源、工业应用还是消费电子，SI4848DY-T1-GE3 都能提供卓越的性能和可靠性。凭借来自 VISHAY 的品质保证和技术支持，这款 MOSFET 将为您的电子设计提供强大动力，实现更高效、更安全的电源解决方案。