SI4483ADY-T1-GE3
SI4483ADY-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） | FET类型 | P沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 栅源电压 Vgss | ±25V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19.2A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.8 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 135nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3900pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 2.9W（Ta），5.9W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | 8-SO |
SI4483ADY-T1-GE3手册
SI4483ADY-T1-GE3概述
产品概述：SI4483ADY-T1-GE3
一、基本信息
SI4483ADY-T1-GE3 是一款高效能的P沟道MOSFET，采用8-SOIC封装（0.154寸，3.90mm宽），其设计目标是为各种应用提供优良的开关性能和热管理。此产品由VISHAY（威世）公司制造，以其可靠的品质和优秀的技术指标广受市场欢迎。
二、技术规格
SI4483ADY-T1-GE3具有以下主要技术参数：
漏源极电压（Vdss）：该器件的漏源极电压最大值为30V，意味着在此电压范围内，其性能稳定可靠，适合多种中低压应用。
连续漏极电流（Id）：在25°C的环境温度下，该FET能承受的最大连续漏极电流达19.2A（Tc=25°C），这使得其在高负载应用中也能保持稳定的工作状态。
阈值电压（Vgs(th)）：在不同的漏电流条件下，Vgs(th)的最大值为2.6V @ 250µA，说明在较低的栅源电压下，该器件即可实现有效的导通，有助于降低器件的开启损耗。
导通电阻（Rds(on)）：在10A和10V驱动电压的条件下，导通电阻的最大值仅为8.8毫欧，这确保了该器件在导通状态下的功耗极低，有利于提高整体电路效率。
栅极电荷（Qg）：最大栅极电荷为135nC @ 10V，表明该器件在转换过程中所需驱动电流较小，有助于提高开关频率，并减少驱动电路的功耗。
功率耗散（Pd）：最大功率耗散为2.9W（环境温度Ta）和5.9W（结温Tc），能够支持设计师在不同环境下的电路散热设计。
工作温度范围：其工作温度范围为-55°C至150°C（TJ），广泛适应各种极端环境，适用于汽车、工业及消费电子产品等应用。
三、应用范围
基于其出色的电气特性，SI4483ADY-T1-GE3适合于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理：作为DC-DC转换器、开关电源等系统中的高侧或低侧开关。
- 负载开关：用于控制电源的启停，尤其是在需要高效能和低热损耗的应用中。
- 汽车电子：在汽车应用中，该MOSFET可用于驱动电机控制、LED照明系统等方面，因其耐高温和高可靠性要求。
- 工业控制：在自动化和工业设备中，包括马达驱动、电加热系统中发挥着重要作用。
四、结论
SI4483ADY-T1-GE3是一款高效能的P沟道MOSFET，具有出色的导通性能和极低的导通电阻，广泛适用于电源管理、汽车电子、工业控制等领域。其宽广的工作温度范围和优秀的安全性和可靠性，使其成为设计师在选择场效应管时的优选方案。借助VISHAY（威世）的品牌信誉和高品质保障，SI4483ADY-T1-GE3必将为用户提供卓越的性能与体验。