SI4447DY-T1-E3
SI4447DY-T1-E3参数
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.3A |
| 栅源极阈值电压 | 2.2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 72mΩ @ 4.5A,15V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.1W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 15V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 72 毫欧 @ 4.5A，15V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 805pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4447DY-T1-E3手册
SI4447DY-T1-E3概述
SI4447DY-T1-E3 产品概述
产品简介
SI4447DY-T1-E3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，由威世（VISHAY）公司制造，专为各种电子应用而设计。其具备高效率的电流控制，广泛应用于电源管理、开关，以及负载驱动等领域。该器件采用表面贴装型（SMT）封装，极大地提升了设备的整体集成度和生产自动化水平。
关键规格
漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 的最大漏源电压为 40V，能够承受较高的电压应力，适合高电压的电子设备应用。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境温度下，SI4447DY 的最大连续漏极电流为 3.3A，能够满足大部分功率需求的应用场景。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 在 250µA 电流条件下，其栅源极阈值电压为 2.2V，使得在中低电压条件下能够有效地打开或关闭 MOSFET。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 在 4.5A 和 15V 条件下，Rds(on) 为 72mΩ，这一低电阻值在导通状态下意味着极低的功率损耗，有助于提升系统的能效。
功率耗散（Pd）: 该器件的最大功率耗散能力为 1.1W（在环境温度 25°C 下），提供了良好的热管理性能。
工作温度范围: SI4447DY 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适应于各种极端环境下的应用需求，极大地增强了产品的可靠性。
栅极电荷（Qg）: 在 4.5V 驱动电压条件下，栅极电荷最大值为 14nC，具有良好的开关速度，适合高频开关应用。
输入电容（Ciss）: 该产品在 20V 条件下的输入电容最大值为 805pF，低输入电容值有助于提高开关效率和减少开关损失。
封装类型: SI4447DY 采用 8-SOIC 封装，便于自动化生产和安装，同时也能有效节省电路板空间。
应用领域
SI4447DY-T1-E3 MOSFET 可广泛应用于多种电子设备中，主要包括但不限于：
- 电源管理: 作为负载开关，控制功率流动，提升能效。
- 电池供电设备: 在电池管理系统中，对电池的充放电进行精准控制，延长电池寿命。
- LED 照明: 用于高效的 LED 驱动电路，支持高频调光和开关控制。
- 自动化设备: 在微控制器或其他数字电路的接口上作为开关使用，控制外部负载。
总结
SI4447DY-T1-E3 是一款兼具高效性能与可靠性的 P 通道 MOSFET，凭借其低导通电阻和广泛的工作温度范围，使其在高性能、节能电路设计中具有很大的优势。适合多种工业及家用电子设备，为设计工程师提供了灵活的电路解决方案。随着对高效能和更多功能集成的需求增加，SI4447DY 预计将在未来的电子应用中扮演重要角色。