SI4403CDY-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 5W 20V 13.4A 1个P沟道 SO-8
库存 :
1(起订量1,增量1)
批次 :
20+数量 :
X
2.78按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.78
--
100+
￥2.14
--
1250+
￥1.85
--
2500+
￥1.75
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4403CDY-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） | FET类型 | P沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V | 栅源电压 Vgss | ±8V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13.4A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15.5 毫欧 @ 9A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 90nC @ 8V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2380pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | 8-SO |
SI4403CDY-T1-GE3手册
SI4403CDY-T1-GE3概述
SI4403CDY-T1-GE3 产品概述
产品简介
SI4403CDY-T1-GE3 是由 VISHAY（威世）制造的一款高性能 P 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），其设计主要用于低压和中功率电源管理及开关应用。采用了 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）封装，这种紧凑的表面贴装（SMT）设计非常适合在现代电子设备中占用有限的空间，并且便于自动化装配。
技术参数
- 封装类型：8-SOIC
- FET 类型：P 通道 MOSFET
- 漏源极电压 (Vdss)：最大 20V
- 栅源电压 (Vgss)：±8V
- 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 条件下，最大为 13.4A
- 导通电阻：在 4.5V 和 9A 条件下，最大值为 15.5毫欧
- 栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大 1V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg)：在 8V 条件下，最大为 90nC
- 输入电容 (Ciss)：在 10V 条件下，最大为 2380pF
- 功率耗散：最大为 5W
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C
应用场景
SI4403CDY-T1-GE3 在多种应用场景中表现优异，特别适用于以下几种领域：
电源管理：由于其良好的导通电阻和较高的连续漏极电流能力，该 MOSFET 适合用于开关电源、稳压电源和其他电源管理电路。
负载开关：P 通道 MOSFET 常用于负载开关应用中，特别是在需要将负载连接或断开于高侧的场合。SI4403CDY-T1-GE3 的低门极电压要求使得它能够在多种控制电压下高效工作。
汽车电子：其广泛的工作温度范围和耐用性使 SI4403CDY-T1-GE3 适合在汽车电子系统中使用，例如电动座椅控制、电源分配和电动窗控制等。
便携式设备：对于需要低功率耗散和高效率的便携式电子设备，该 MOSFET 也能展现良好的性能。
性能优势
- 低导通电阻：较低的导通电阻值（15.5毫欧 @ 4.5V 和 9A）可以降低功耗并提高系统效率。
- 高电流承载能力：13.4A 的连续漏极电流能力使得 SI4403CDY-T1-GE3 可以在多种负载条件下可靠工作。
- 宽工作温度范围：-55°C 至 150°C 的工作温度范围提供了在极端环境下的可靠性，适合军事、航空航天和工业应用。
总结
VISHAY 的 SI4403CDY-T1-GE3 P 通道 MOSFET 是一款性价比高、功能全面的器件。其适应广泛电压和电流条件、高效能以及可靠性使其成为电源管理、负载开关和其它多个领域的重要元件。设计工程师在选择 MOSFET 时，可以根据 SI4403CDY-T1-GE3 的技术参数和应用场景，综合考虑此器件是是否满足最终产品的需求，以实现高效能的电路设计。