SI4162DY-T1-GE3
SI4162DY-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19.3A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.9 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1155pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | 8-SO |
SI4162DY-T1-GE3手册
SI4162DY-T1-GE3概述
SI4162DY-T1-GE3 产品概述
一、基本信息
SI4162DY-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）公司生产的 N 型 MOSFET（场效应管），其采用 8-SOIC （小型封装，宽度 3.90mm）封装，具备高性能和广泛的应用潜力。此器件专为需要高效率和高可靠性的电子系统设计，具有显著的电气性能和热特性。
二、关键电气参数
漏源极电压（Vdss）: SI4162DY-T1-GE3 的漏源极电压高达 30V，适用于低压电源管理和驱动电路。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，此 MOSFET 可支持最大连续漏极电流达 19.3A（在有效的散热条件下）。这是在 TC （壳体温度）下测得的，确保在典型应用中保持稳定的性能。
栅源电压（Vgss）: 栅源电压最大为 ±20V，便于与多种控制电路兼容，从而实现灵活的驱动设计。
导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 的栅极驱动下，同时提供 20A 电流时，导通电阻（Rds(on)）的最大值为 7.9毫欧。这一特性使得器件在导通状态时能显著降低能量损失，提升系统的整体效率。
栅极阀值电压（Vgs(th)）: 在 250µA 的漏电流测试下，栅极阀值电压（Vgs(th)）的最大值为 3V。这意味着设备在较低的栅极电压下便可开始导通，为系统设计提供了良好的灵活性。
输入电容（Ciss）: 在 15V 下，输入电容值最大为 1155pF。这一参数对于高频应用尤其重要，因为它影响开关速度及驱动电路的要求。
栅极电荷（Qg）: 在 10V 的驱动条件下，栅极电荷最大为 30nC，有助于优化 MOSFET 的开关特性，以减少开关损耗。
功率耗散: SI4162DY-T1-GE3 的功率耗散能力最大为 2.5W（环境温度）和 5W（壳体温度），使其能在较高的功率运作同时保持良好的热管理性能。
工作温度: 本器件的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，适应各种极端环境，为汽车、工业及医疗应用等领域提供了可靠性保障。
三、应用场景
SI4162DY-T1-GE3 适用于多种应用，包括但不限于：
- 电源管理: 特别是开关电源和电压调节器，能够提供高效率的电源转换。
- 电机驱动器: 在电机控制系统中，作为开关元件能够实现精确的电流控制。
- 自动化控制: 应用于可编程逻辑控制器(PLC)、继电器驱动等领域。
- 消费电子: 在如笔记本电脑、平板电脑等消费类电子产品，作为负载开关等用途。
四、总结
SI4162DY-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，具有全面的电气特性和广泛的应用潜力。其优越的导通电阻、宽广的工作温度和高额定电流能力，使其成为设计现代电子设备时不可或缺的元件。通过引入这一器件，设计工程师能够在提升性能的同时，确保其应用的可靠性和效率。随着电子产品对能效和性能要求的不断提高，SI4162DY-T1-GE3 将在未来市场中占据重要地位。