SI4128DY-T1-GE3
SI4128DY-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.9A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 7.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 435pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 2.4W（Ta），5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | 8-SO |
SI4128DY-T1-GE3手册
SI4128DY-T1-GE3概述
产品概述：SI4128DY-T1-GE3 N沟道MOSFET
SI4128DY-T1-GE3是VISHAY（威世）公司推出的一款高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），采用表面贴装（SMT）技术，封装类型为8-SOIC。这款MOSFET的特性参数使其在多种应用场景中具有优异的表现，尤其适合用于开关电源、DC/DC转换器以及电机驱动等领域。
基本参数
- 封装/外壳类型：8-SOIC (0.154"，3.90mm宽)，具有良好的散热性能和适合自动化生产的特性。
- FET类型：N沟道，适合高效能电源开关应用。
- 漏源极电压 (Vdss)：30V，能够在这一电压范围内稳定工作，适合低至中压应用场景。
- 栅源电压 (Vgss)：±20V，给设计者提供灵活的栅极驱动选择。
电流处理能力
在25°C环境条件下，该MOSFET能够支持高达10.9A的连续漏极电流（Id），非常适合高功率应用。其高电流处理能力使得SI4128DY-T1-GE3可以在严苛的工作条件下仍能稳定运行，避免了过热和功率损耗。
导通电阻和开关性能
SI4128DY-T1-GE3在不同的漏极电流和栅极电压下，导通电阻（Rds On）的最大值为24毫欧，特别是在7.8A，10V的条件下表现优异。低导通电阻是该MOSFET在提升电源效率和减少功率损耗方面的重要特性。此外，其在10V栅极驱动下的栅极电荷（Qg）最大值仅为12nC，确保快速开关操作，符合现代开关电源对快速响应的要求。
温度和功率参数
该器件的功率耗散能力为2.4W（在环境温度Ta下），而在管壳温度Tc情况下能够承受高达5W的功耗。这使得SI4128DY-T1-GE3在高温环境下仍能保持良好的工作稳定性。其工作温度范围广泛，从-55°C至150°C，使其在极端温度条件下也能正常工作。
应用领域
由于其高电流处理能力、低导通电阻以及优越的高温性能，SI4128DY-T1-GE3适用于广泛的应用场景，包括但不限于：
- DC/DC转换器：可作为高效的开关器件，提高转换效率。
- 电机驱动：在电动机控制中使用，以实现高效的电能传递和降低发热。
- 电源管理：适合用于各种电源模块，提供可靠的电源切换功能。
- 数据中心和通信：可用于高效的电能管理和分配系统。
总结
SI4128DY-T1-GE3 N沟道MOSFET凭借其优越的电气性能和耐高温特性，加之适合表面贴装的8-SOIC封装设计，使其成为电源设计工程师和系统开发者的理想选择。无论是在高效能电源、功率转换还是电机驱动应用领域，该MOSFET都能发挥出色的性能，助力电子行业的创新与发展。选择SI4128DY-T1-GE3不仅能提升产品的性能，还能满足日益增长的节能要求。