SI4116DY-T1-GE3
SI4116DY-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 25V | 栅源电压 Vgss | ±12V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.6 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 56nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1925pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | 8-SO |
SI4116DY-T1-GE3手册
SI4116DY-T1-GE3概述
产品概述：SI4116DY-T1-GE3 N沟道MOSFET
在现代电子设计中，选择合适的场效应管（MOSFET）是确保系统性能和效率的关键。SI4116DY-T1-GE3是VISHAY（威世）公司推出的一款高性能N沟道MOSFET，旨在满足多种应用需求，其优良的电气性能和广泛的工作范围使其成为电子工程师的理想选择。
基本参数
封装类型：SI4116DY-T1-GE3采用8-SOIC封装，尺寸为0.154" (3.90mm宽)，这种小型化设计使其更适合于表面贴装(SMT)应用，节省了PCB空间，提高了系统的整体精度和效率。
FET类型：该器件为N沟道MOSFET，这是目前应用最广泛的MOSFET类型之一，适合开关和放大电路。
漏源极电压（Vdss）：SI4116DY-T1-GE3的漏源极电压（Vdss）为25V，适合低到中等电压应用，能够在较宽的电压范围内稳定工作。
导通电流（Id）：在25°C的环境温度下，该MOSFET的最大连续漏极电流为18A，这样的高电流处理能力使其适合用于高负载场合，如电源管理、DC-DC转换器和马达驱动器等。
关键电气特性
驱动电压：该器件要求的驱动电压为2.5V至10V，这意味着其可以在较低的电压下启动并有效地管理功率，这对于电池供电设备尤为重要。
导通电阻（Rds On）：在10A、10V的条件下，最大导通电阻为8.6毫欧，这一低导通电阻特性大大减少了功率损失，提高了效率，尤其在高频开关应用中表现明显。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：最高阈值电压为1.4V @ 250µA，表明该器件能够在较低的控制电压下开始工作，增强了在低功耗应用中的适用性。
栅极电荷（Qg）：最大栅极电荷为56nC（在10V下），这一特性表明在开关频率较高时，驱动电路所需的功率较低，有助于提高整体电路效率。
输入电容（Ciss）：在15V的条件下，输入电容的最大值为1925pF，这一较大的输入电容有效降低了信号噪声，提高了驱动性能。
热特性
功率耗散：SI4116DY-T1-GE3的最大功率耗散为2.5W（在环境温度Ta下）和5W（在结温Tc下），使其在高负载条件下能够有效散热，保持自身的安全运行。
工作温度范围：该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，广泛的温度范围使其能够在严酷的环境下长期稳定运行，适合汽车、工业控制和消费电子等各种应用。
应用领域
考虑到其卓越的电气特性和广泛的工作范围，SI4116DY-T1-GE3特别适用于：
- 电源管理：高效的DC-DC转换和线性稳压器设计，可确保高效能源利用。
- 马达驱动器：在电机控制系统中，能够承受高负载工作，确保长期稳定运行。
- 开关电源：用于各类开关电源设计，为设备供电提供高效可靠的解决方案。
- 消费电子：适合各种便携设备和电池供电的产品，使其运行更加高效和耐用。
结论
作为VISHAY的优质产品，SI4116DY-T1-GE3 N沟道MOSFET以其小型封装和出色的电气性能，在不断发展的电子市场中展现出强大的竞争力。其广泛的应用领域和优越的工作特性，无疑为设计工程师在构建高效、可靠系统时提供了强有力的支持。无论是电源管理、马达驱动还是开关电源，该MOSFET都是一个值得信赖的选择。