漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 7.6A |
栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 29mΩ @ 5.4A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.25W | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.6A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 29 毫欧 @ 5.4A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 36nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1295pF @ 15V | 功率耗散(最大值) | 1.25W(Ta),2.5W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | TO-236 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
SI2369DS-T1-GE3是一款高性能的P沟道MOSFET,专门设计用于各种低电压和高电流应用场景。它的最大漏源电压为30V,能够承载的连续漏极电流达到7.6A,使其在多种电子电路中具有广泛的适用性。这个器件采用了先进的MOSFET技术,结合了优越的导通性能和高效的功率耗散能力。
漏源电压(Vdss):
连续漏极电流(Id):
栅源极阈值电压:
漏源导通电阻(Rds(on)):
功率耗散能力:
工作温度范围:
封装类型:
SI2369DS-T1-GE3广泛应用于多个领域,主要包括:
SI2369DS-T1-GE3是一款功能强大、性能卓越的P沟道MOSFET,凭借其显著的电气性能和广泛的应用前景,成为很多电子设计师和工程师的优选产品。无论是用于简单的开关控制,还是复杂的电源管理和电动机驱动,SI2369DS-T1-GE3均能提供领先的解决方案,是诸多电子产品中不可或缺的重要组件。