SI2333CDS-T1-GE3
SI2333CDS-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.1A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 35mΩ @ 5.1A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.25W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.1A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 5.1A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1225pF @ 6V | 功率耗散（最大值） | 1.25W（Ta），2.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI2333CDS-T1-GE3手册
SI2333CDS-T1-GE3概述
SI2333CDS-T1-GE3 产品概述
产品名称: SI2333CDS-T1-GE3
类型: P沟道MOSFET
品牌: VISHAY（威世）
封装: SOT-23-3（TO-236）
一、基本参数
SI2333CDS-T1-GE3是一款高性能的P沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），专为低电压领域的应用而设计。其主要电气特性包括：
- 漏源电压（Vdss）： 12V
- 连续漏极电流（Id）： 5.1A @ 25°C（注：在结温Tc下，此电流可达7.1A）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds On）： 35mΩ @ 5.1A, 4.5V
- 最大功率耗散（Ta）： 1.25W；在结温Tc下可达到2.5W
- 工作温度范围： -55°C至150°C（TJ）
二、特性与应用
SI2333CDS-T1-GE3的优势在于其低导通电阻和较高的电流承载能力，使其非常适合多种电子应用，包括：
- 电源管理： 该MOSFET可用于DC-DC转换器、线性稳压器和电源开关，具有低开关损耗和高效率的特点。
- 负载开关： 作为负载开关，SI2333CDS-T1-GE3可用来控制电流的流动，适用于各类电子设备。
- 汽车电子： 由于其宽广的工作温度范围，此MOSFET非常适合在汽车行业中的高温和高压环境下使用。
三、技术参数分析
导通电阻（Rds On）: SI2333CDS-T1-GE3在5.1A电流条件下的导通电阻为35mΩ，表明其在导通状态下的功耗非常低，能够有效提高电路的整体效率。
阈值电压（Vgs(th)）: 最低的驱动电压为1V，允许在低电压条件下工作，使得其在电池供电设备中具有良好的兼容性。
栅极电荷（Qg）: 在4.5V下，栅极电荷为25nC，意味着在开关操作中该FET能够快速响应，避免了显著的延迟，尤其适用于高频应用场合。
最大Vgs： SI2333CDS-T1-GE3设计为能承受±8V的栅源电压，从而提高了其在电路中的灵活性和安全性。
四、封装与安装
SI2333CDS-T1-GE3采用SOT-23-3封装，这种表面贴装形式在现代电子设计中非常流行。其小体积和轻巧特性，使得在PCB布局中有更多的设计自由度。此外，SOT-23-3封装提升了散热性能，有助于在高温作业下有效散热。
五、总结
SI2333CDS-T1-GE3是一款强大的P沟道MOSFET，凭借其适中的电气特性、低导通电阻、高效率及宽广的工作温度范围，非常适合在多种应用环境下使用。从电源管理到汽车电子，SI2333CDS-T1-GE3都表现出色，是电子工程师值得考虑的优质选择。选择VISHAY的这一产品，不仅能提高设计的性能，也能增强最终产品的可靠性和市场竞争力。这个MOSFET为需求高效、稳定和可靠解决方案的设计提供了良好的基础。