漏源电压(Vdss) | 150V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 530mA |
栅源极阈值电压 | 4.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.2Ω @ 500mA,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 750mW | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 530mA(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.2 欧姆 @ 500mA,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 510pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 750mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
SI2325DS-T1-E3 是一款由 VISHAY(威世)生产的 P 通道 MOSFET,具有高效能和高可靠性,广泛应用于电子设备中作为开关或放大器。该产品设计用于承受高漏源电压(Vdss)和连续漏极电流(Id),使其在各种应用场景中表现出色。其封装形式为 SOT-23-3(TO-236),提供方便的表面贴装,便于集成到紧凑的电路设计中。
SI2325DS-T1-E3 具有工作温度范围从 -55°C 到 150°C,使其在极端环境下仍保持稳定的性能。这一特性使得该 MOSFET 在汽车电子、工业控制和军事应用等严苛条件下表现尤为突出。此外,该器件的高可靠性以及长期稳定性为各种电子设备提供了保障。
由于其突出的参数和高温工作能力,SI2325DS-T1-E3 被广泛应用于以下领域:
SI2325DS-T1-E3 是一款高性能、宽温域的 P 通道 MOSFET,凭借其卓越的电气特性和可靠的工作性能,成为多种电路设计的优选器件。无论是在日常消费电子、工业自动化,还是高要求的汽车电子领域,该 MOSFET 都能够有效满足设计师的需求,为现代电子产品提供强大的支持。选择 VISHAY 的 SI2325DS-T1-E3,意味着选择了一款性能可靠、效率优越的高科技产品。