漏源电压(Vdss) | 20V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 6A |
栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 39mΩ @ 4.6A,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.25W | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 39 毫欧 @ 4.6A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 25nC @ 4.5V | Vgs(最大值) | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1090pF @ 10V | 功率耗散(最大值) | 1.25W(Ta),2.5W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
SI2323CDS-T1-GE3 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,专为低电压应用而设计,具有出色的导通性能和高效的开关特性。采用 SOT-23-3 封装,使其成为表面贴装型元器件,广泛应用于电源管理、负载开关以及其他需要有效开关控制的电子产品。
SI2323CDS-T1-GE3 的输入电容 (Ciss) 在 10V 时可达到 1090pF,这使得其在高频应用中表现出色,可以有效防止信号的失真。栅极电荷 (Qg) 的最大值为 25nC @ 4.5V,确保了快速开关的能力,适合用于高频开关电源和 PWM 控制电路。
此外,该器件的工作温度范围广泛,从 -55°C 到 150°C,赋予其在极端环境条件下的稳定性,适合在工业、汽车和军事等领域进行使用。
SI2323CDS-T1-GE3 的 SOT-23-3 封装设计使得其在空间受限的电路板上具备优秀的适应性,便于批量生产及自动化组装。同时,表面贴装技术的使用降低了生产成本,提高了装配的简便性及可靠性。
SI2323CDS-T1-GE3 是一款高效率、高性能的 P 沟道 MOSFET,具备良好的热管理能力和稳定的电流承载能力,适用于各种电源和开关应用。凭借其卓越的技术特性与广泛的应用前景,这款器件势必在未来的电子产品中发挥重要作用,帮助设计工程师提升产品性能和可靠性。无论是在工业还是消费类电子产品中,SI2323CDS-T1-GE3 都展示出了其成为高效能电子开关的潜力,为现代电子产品的创新与发展提供了强有力的支持。